急性主动脉壁内血肿影像学表现与治疗策略

【摘要】 目的 分析急性主动脉壁内血肿（AIH）影像学特征及治疗策略。方法 回顾性分析2013年4月至2017年8月收治的39例急性AIH患者影像学和临床治疗资料,治疗方法包括积极药物治疗、胸主动脉腔内修复术（TEVAR）及急症外科手术。结果 根据Stanford 分型,A型14例,B型25例。A型患者中7例接受急症外科手术,死亡1例;7例接受药物治疗,其中2例因降主动脉病变接受TEVAR术。B型患者中10例接受积极药物治疗,12例接受降主动脉TEVAR术,3例接受复合手术。所有患者随访3~36个月,平均（21.4±12.6）个月。除1例因TEVAR术后逆行主动脉夹层形成而死亡,其余患者影像学检查提示血肿均减小或完全吸收,主动脉无明显扩张。结论 对A型AIH,应制定个体化最佳治疗方式,予部分伴降主动脉穿透性溃疡患者TEVAR术可取得较好疗效;对B型AIH,积极的药物治疗结合选择性、预防性TEVAR术是合理的治疗策略。

     

SiC掺氯热氧化技术与SiC MOS电容偏压温度不稳定性

偏压温度不稳定性(BTI)是影响SiC MOS器件性能的关键因素。提出了一种制备SiC MOS电容的新工艺，即在SiC干氧氧化气氛中掺入氯化氢(HCl),并对比了不同HCl与O₂体积流量比对SiC MOS电容电学性能的影响。结果表明，该工艺有效地改善了SiC MOS电容的栅氧击穿特性，降低了界面态密度，提升了平带电压稳定性。二次离子质谱(SIMS)和X射线光电子能谱(XPS)测试分析表明，掺氯热氧化技术能够有效消除界面缺陷。进一步分析表明，SiC掺氯热氧化技术能够降低可动离子面密度和氧化层陷阱电荷密度，能够有效改善器件的BTI特性。