排序方式: 共有8条查询结果,搜索用时 46 毫秒
1
1.
2.
3.
为了降低器件的制造成本,又可以和低压器件实现自主隔离集成在一起,所以需要价格较低的普通CMOS衬底片来实现高电压的器件设计。设计研制了一种在普通CMOS的衬底片上做深N阱层光刻注入和推结深,然后生长外延层,在外延层上做器件,高压N阱作为LDMOS的漂移区做在P-外延层中,深N阱层做在P型衬底上。由于深N阱层注入推结深步骤后的热制成步骤,导致深N阱层会反扩到P-外延层,深N阱层是漏端重要组成部分,与高压N阱一样承担BVDS耐压重要功能。击穿电压的关键是高压N阱漂移区(耐压区)和深N阱层耐压区的结构。利用工艺仿真软件对高压N阱漂移区和深N阱层耐压区的不同注入剂量、长度、结深对LDMOS器件的击穿电压的影响进行了汇总,最终确认各个参量数值。 相似文献
4.
5.
7.
石金成 《数字社区&智能家居》2007,1(6):1580-1581
超宽带(UWB)技术是目前热点研究的一种无线个域网(WPAN)技术,而其MAC协议对网络的整体性能有着极重要的作用。文中运用NS网络仿真软件搭建了完整的UWB网络环境,实现了一种融合物理层编码技术的MAC协议,并与几种传统的MAC协议进行了仿真分析比较。仿真结果表明,该协议可使网络吞吐量得到较大提高。最后提出未来设计UWBMAC协议的方向。 相似文献
8.
1