基于4G移动互联网农产品电子商务平台业务流程的改造

4G通信技术的应用和普及,为移动电子商务发展带来了新的机遇和挑战。4G移动互联网农产品电子商务平台,通过最新移动通信技术,为农产品交流信息提供服务。在对其平台业务流程改造过程中,应做到以顾客为导向;信息技术为手段,流程为核心来实施。     

高性能有机薄膜晶体管(OTFT)制备及其导电机制

详细介绍了在SiO2和高kHfO2介质层上制备并五苯薄膜晶体管方面的研究,特别是利用原子力显微技术(AFM)和静电力显微技术(EFM)研究了并五苯分子初始生长模式,揭示了衬底形貌、表面化学性能(包括化学清洗和聚合物层修饰)对有机半导体成膜结构和薄膜场效应晶体管性能之间的关联,包括晶体管迁移率、开关比和阈值电压等;针对并五苯初始生长成核模式的差异,分析了不同岛(畴)间畴边界对载流子在有机薄膜内输运的影响,有助于理解有机半导体薄膜导电机理。通过优化和控制介电层和有机半导体薄膜层的界面化学性质,在SiO2介质层上成功制备出迁移率为1.0cm2/V.s、开关电流比达到106的OTFT器件;在高kHfO2介质层上获得的OTFT器件的工作电压在-5V以下,开关电流比达到105,载流子迁移率为0.6cm2/V.s;器件性能指标已经达到目前国际上文献报道的最好水平。     

高性能有机薄膜晶体管（OTFT）制备及其导电机制

详细介绍了在SiO2和高kHfO2介质层上制备并五苯薄膜晶体管方面的研究,特别是利用原子力显微技术（AFM）和静电力显微技术（EFM）研究了并五苯分子初始生长模式,揭示了衬底形貌、表面化学性能（包括化学清洗和聚合物层修饰）对有机半导体成膜结构和薄膜场效应晶体管性能之间的关联,包括晶体管迁移率、开关比和阈值电压等;针对并五苯初始生长成核模式的差异,分析了不同岛（畴）间畴边界对载流子在有机薄膜内输运的影响,有助于理解有机半导体薄膜导电机理。通过优化和控制介电层和有机半导体薄膜层的界面化学性质,在SiO2介质层上成功制备出迁移率为1.0cm^2/V.s、开关电流比达到10^6的OTFT器件;在高kHfO2介质层上获得的OTFT器件的工作电压在-5V以下,开关电流比达到10^5,载流子迁移率为0.6cm^2/V.s;器件性能指标已经达到目前国际上文献报道的最好水平。     

铁酸铋薄膜在小于矫顽电压下的阻变机制

为了研究利用脉冲激光沉积法制备于SrTiO_3衬底上的Au/BiFeO_3/SrRuO_3结构的阻变效应,实验通过测量样品的I-V特性曲线来表征样品的阻态变化.由于BiFeO_3与Au、SrRuO_3功函数的不同在Au/BiFeO_3、BiFeO_3/SrRuO_3两个接触界面形成稳定的肖特基接触,通过改变外部电压控制陷阱能级填充的程度可以改变肖特基势垒高度,从而在施加电压小于矫顽电压时可以形成稳定的高低阻变化,表现出最大可达103高低阻电流比的I-V特性曲线.对I-V特性曲线进行不同导电机制的拟合表明:小于矫顽电压下空间电荷限制电流起到了主导作用,陷阱的填充与脱陷是主要的阻变机制.     

《《基础会计》实训》的项目课程开发

基础会计实训项目课程是以典型经济业务事项为逻辑主线，以咨询、决策、计划、实施、检查和评估六个过程进行开发的项目课程。文章就此过程进行了探讨。     

大功率小垂直发散角980nm量子阱激光器

提出了一种新型非对称宽耦合波导结构,通过理论计算优化了结构中n型波导层和限制层厚度,并采用低压金属有机化学气相沉积方法生长了设计的器件结构.测试了器件的光电特性,1200μm腔长器件的阈值电流为590 mA,斜率效率为0.96 w/A,最大输出功率达2000mW;当注入电流为0.6 A时,其远场发散角为16.1°(θ⊥)×10.2°(θ//).实验结果表明:新型非对称宽耦合波导结构能实现器件大功率输出,有效减小器件远场垂直发散角,改善器件光束质量.     

论我国高校会计与财务报告制度改革

随着高等教育体制的改革以及经济社会的发展,我国高校对外提供的财务信息已不能满足会计信息使用者的要求,文章拟对现行我国高校会计与财务报告制度的局限性及其改革思路进行探讨。     

高校教育成本核算及成本分担机制的思考

高校人才培养成本是多少,教育成本应该如何分担,收费标准是高或是低已成为社会各界关注的热门话题。围绕教育经费的不足与困难以及学费收取问题,近些年来社会各界从不同角度,仁者见仁,智者见智,发表了许多看法和建议。文章拟从高校教育成本核算及其分担方面参与探讨。     

农产品移动电子商务平台建设的关键技术研究

农产品电商兴起随着农业的产业化和信息技术的进步而不断发展的,一方面农业科技化水平需要进一步提高,另一方面,优质的农产品需要被市场所接受。因此,需要对农产品移动电子商务平台建设技术做更深入的探讨和研究。     

面向VCSEL的Al0.98Ga0.02As薄膜湿法氧化的研究

为了系统研究VCSEL制作中的湿法氧化过程和机理, 设计了专门的材料结构并采用MOCVD技术进行外延生长。对经过光刻和干法刻蚀形成的台面结构样品进行不同时间的湿法氧化, 由表面形貌及断面结构来确定氧化程度。研究发现, 氧化时间较短时, Al_0.98Ga_0.02As层的横向氧化深度随氧化时间呈线性变化; 随着氧化时间增加, 横向氧化深度与氧化时间呈抛物线变化, 并渐趋于饱和。此外实验中发现Al_0.98Ga_0.02As层的湿法氧化速度可比Al_0.9Ga_0.1As层高一个数量级, 且Al_0.9Ga_0.1As层的湿法氧化速度随其层厚增加而增大。最后根据修正的一维Deal-Grove氧化模型计算了受限空间内Al_0.98Ga_0.02As层横向氧化深度随氧化时间的变化关系。