影响PTC元件生产稳定及重复性的因素

从组成控制、烧结工艺这两个主要技术环节，讨论影响生产稳定性，一致性的某些因素。     

工艺创新推动社会发展──新世纪感想

我从事功能陶瓷研制工作近半个世纪，50年沧桑，走过了曲折的道路，目睹了许多变革，成功的经验和失败的教训甚多。随着时代的前进，陶瓷工艺也不断更新，谈几点有关材料研究的感想，以利来者。（1）球磨是陶瓷工业混料和粉碎的传统工艺，50年以前，广泛使用球磨工艺，如今仍有很多厂沿用此工艺，但是新的球磨工艺，如搅拌球磨已部分替代老球磨。它使研磨时间从原来的24~48 h，缩短为2~4 h，粉碎效果明显增强，且粒度分布变狭窄，因此烧成瓷坯的显微结构中很少出现晶粒异常生长，从而提高了瓷件性能。这类新工艺在新建工厂中易于采用，而老…     

PTC材料的制备与性质

为了PTC材料的稳定生产,对该材料的制备和性质进行了综述,对原料、掺入物、第二相等对PTC效应的影响进行了描述.为了控制阻值的重现性,讨论了烧结及晶界重氧化.最后从应用角度强调说明了显微结构均匀性和晶界热点的关系.     

625KW双缸电动压缩机曲轴油封的改进

双缸电动压缩机是目前我国制碱厂通用的一种压缩机。原曲轴油封是用毛毡垫强力密封,密封的效果普遍不好,而且旋转的曲轴额外受毡垫的磨损。压缩机的曲轴以每分钟167转或187转旋转,由于曲轴油封不好,润滑油极易甩到电机的滑环和定转子线圈上,腐蚀线圈和滑环,常造成故障,被迫停机修理。另外,污油常年飞溅,影响生产环境。     

PLZT陶瓷的晶界现象

利用显微技术,研究了ＰＬＺＴ陶瓷的显微结构及它在外电场作用下的行为。制备粗晶粒及单个晶粒厚的抛光薄片, 利用十字形电极, 观察在电场作用下, 电畴运动的动态过程。讨论所观察到的一些晶界有关现象,如： 晶界平滑区, 晶界区的电光性, “壳－芯”结构, 析出物在晶界区的沉积, 电畴在该区的成核和生长, 空间电荷在该区的积累等等。认为存在高应变能的晶界区, 对上述现象起重要作用     

原料颗粒度对BaTiO_3陶瓷晶粒大小及PTC效应的影响

通过研究原料颗粒度对 BaTiO_3 PTC 陶瓷晶粒大小的影响,提出并讨论了 BaCO_3和 TiO_2的固相反应模型。在生成 BaTiO_3的固相反应中,首先在 BaCO_3和 TiO_2颗粒之间生成少量 BaTiO_(?),隔离了 BaCO_(?)和 TiO_2的接触,从而阻止反应进行,但离子的扩散可使反应继续进行。在扩散过程中,Ba~(2+)的扩散为主,Ti~(4+)的扩散被抑制而可忽略。根据模型,生成的 BaTiO_3颗粒大小主要由 TiO_2原料的颗粒度决定,与 BaCO_3关系较小。所以 BaTiO_3陶瓷的晶粒大小及其 PTC 效应受 BaCO_3颗粒度的影响较小;在生产中为控制陶瓷晶粒大小,选择 TiO_2原料颗粒度是十分重要的,而 BaCO_3则次之。     

PTC元件生产中废品形成的原因探讨

从PTC元件电击穿及热破坏的机理,探讨了其产生废品的原因,主要有:(1)干压成型形成的密度分布不均匀;(2)瓷体内的组成不均匀;(3)瓷体内玻璃相分布不均匀;(4)沿片子截面中心部位的强内应力等。据此提出了预防废品发生的措施。     

PTC材料电阻反常现象和影响反常特性的诸因素

PTC材料的大量应用,主要基于其电阻率(ρ)-温度(T)突变。一般希望ρ跃升大,变化陡,从而可以使用安全,耐电压也高。电阻突变是许多相关因素相互作用的结果。本文结合本所以前及前人的工作,系统阐明有关诸因素的相互关系,为调节PTC材料的ρ-T关系提供参考。本文从能带结构和氧化还原出发,介绍几种物化模型(Heywang、Danniel,Jonker,Ihrig,Nemoto……),为理解ρ突变提供基础;一定的晶粒尺寸大小与均匀的显微结构,是具有良好PTC特性的重要条件;从扩散观点讨论烧成冷却等工艺影响,能解释热处理、第二相、晶粒大小对PTC的影响;Mn易进入晶界,易变价,低温时呈受主作用,有助于生成高质量晶界势垒层(薄的晶界受主层):玻相在烧成结晶过程中,促进晶粒组成的纯化,(减少杂质对半导体的毒化作用)及杂质在晶界区的富集,增加织构均匀和材料的耐压性;最后讨论了预烧、烧成工艺、半导化、致密化、晶界势垒形成等过程间的相互关系,并指出烧成具有高PTC效应的材料的控制要点。 PTC材料是近年来发展迅速、应用广泛的电子陶瓷材料,也是一种重要的仪表和功能材料。本材料性质中最主要的特点是在相变温度附近,电阻率ρ突然增加达10~3～10~6(见图1),本文主要讨论这种ρ突变的原因及影响因素,以便于人们控制制备条件,发挥其特点。