N-X共掺p型ZnO薄膜的研究进展

获得高质量稳定的p型ZnO薄膜是实现ZnO基光电器件化的关键.目前,国际上公认V族元素中的N替代O位(No)是实现p型ZnO较理想的掺杂途径.但p-ZnO:N薄膜的导电性能会随着时间、光照、温度条件发生变化,稳定性不足.大量的理论和实验研究表明N基二元共掺( N-X)可以提高N在ZnO薄膜中的固溶度,浅化N的受主能级,且在很大程度上能够改善p型ZnO的导电性能,有利于获得稳定的p型ZnO薄膜.为此,从N基施主受主共掺、双受主共掺以及其它共掺方面综述了N-X共掺p型ZnO薄膜的研究现状.     

离子注入法制备N掺杂p型ZnO薄膜

采用离子注入技术对射频磁控溅射制备的ZnO薄膜进行N掺杂,通过退火实现了ZnO薄膜的p型转变.利用X射线衍射(XRD)和Hall实验对样品热退火前后的性能进行了研究.实验数据表明,该掺杂方法能得到稳定的p型ZnO薄膜,其电学性能随热退火温度的升高和时间的延长而进一步改善,其中在950℃、7min退火条件时,载流子浓度为1.68E 16cm-3,电阻率为41.5Ω·cm.     

谈建筑施工安全精细化管理

就如何全面提升建筑施工安全管理水平进行了探讨,从建筑施工的实际出发,结合施工企业职能管理、量化考核及目标责任,对安全精细化管理的具体思路、方法进行探索、分析,旨在减少和杜绝安全事故的发生。     

电火花强化技术在设备维修中的应用

电火花强化技术的基本原理、特点和应用方法、在棉纺织厂设备维修中修复磨损部件的实践经验。     

C掺杂浓度对ZnO薄膜电学和结构的影响

采用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上成功制备了不同C掺杂浓度的ZnO∶C薄膜,借助于X射线衍射仪(XRD)、霍尔测试(Hall)、X射线光电子谱(XPS)和拉曼散射光谱(Raman)等测试手段系统研究了ZnO薄膜的结构、电学以及拉曼特性并分析了C在ZnO薄膜中存在形式。结果表明,所有薄膜都呈纤锌矿结构并具有高度的c轴择优取向。随着C掺杂浓度的增加,薄膜的n型导电性能不断增强,其主要原因是ZnO薄膜中的C替代Zn位起施主作用。     

硅锆双组份交联累托土固体酸催化合成水杨酸正丁酯

将自制的SO2-4改性硅锆双组份交联累托土固体酸催化剂(SO2-4/SiZrR)用于水杨酸(C7H6O3)和正丁醇(C4H10O)的酯化反应,与传统酯化反应催化剂以及其他交联剂交联的累托土作酯化反应的催化剂相比,SO2-4/SiZrR催化剂有更好的催化活性。考察了影响酯化反应的诸因素,并对产物进行了折光率测试、红外光谱分析。酯化反应的最佳条件为:酸醇比n(C7H6O3)/n(C4H10O)=1/1 65、催化剂占酸投料质量的百分比为w(SO2-4/SiZrR)=6 5%、反应温度120～135℃、反应时间6h,水杨酸的转化率可达86 85%,产物中水杨酸正丁酯的质量分数w(C11H14O3)>99 9%。     

基于数控编程的模具加工工艺分析

数控加工在模具制造中占据重要地位。根据数控编程的要求，提出有关模具数控加工的工艺分析要点。     

锆交联累托土制备及其用于催化合成柠檬酸三丁酯的研究

制备了锆交联累托土Zr CLR、SO4 2 -/Zr CLR。采用XRD、IR、TGA和DTA等分析手段对催化剂进行表征 ,并将其应用于催化合成TBC。结果表明 ,锆交联使得累托土的d0 0 1增大了 0 4 12nm ,结构坍塌的温度提高了 86℃ ,SO4 2 -的引入使得催化剂在 5 0 0℃焙烧时出现了SO4 2 -/ZrO2 螯合双配位的固体酸结构。在TBC的合成中 ,SO4 2 -/Zr CLR显示出良好的催化活性和稳定性 ,转化率达到 95 6 3%,反复使用 5次活性仅下降了 4 17%。     

Zn_(1-x)Mg_xO薄膜及其p型掺杂的研究进展

Zn1-xMgxO薄膜作为一种新型的宽带隙半导体材料,近年来一直受到广泛的关注。获得高质量稳定的p型Zn1-xMgxO薄膜是实现其光电应用的关键。概述了Zn1-xMgxO薄膜及其p型掺杂的研究现状,介绍了Zn1-xMgxO薄膜结构、光电性质及在光电领域的应用,并提出了有待进一步研究的问题。     

建筑施工企业质量管理

针对工程质量的重要性,分析了我国建筑施工企业质量管理的现状,阐述了加强质量管理的措施,提出了建筑工程质量管理的长远目标,以保证建筑工程的质量,增强施工企业的竞争力。