Intel首推90纳米MLCNOR闪存

日前,Intel率先推出90纳米多级单元(MCL)NOR闪存M18,它是一款512Mbit蜂窝内存,它的出现将加强Intel在中高端手机内存的市场地位。采用90纳米技术的M18是Intel采用130纳米技术的256Mbit闪存的延伸产品,同样也针对手机应用市场。它比上一代拥有更出色的性能表现,能更好的满足中高端手机的需求。与上一代相比,M18最大的进步在于将存储密度从256Mbit提高至512Mbit。它能提供108/133MHz的同步工作频率,而以往的产品只有54/66MHz。此外,M18的写入速度提高了近三倍,从140Kbyte/Sec提高至500KByte/Sec。M18的高密度将进一步满足2.5G和3G…     

微波半导体功率器件及其应用(第二部分)

本文介绍了微波半导体技术主要特点、功率器件和单片集成电路的特性及其应用。     

1200VNPT沟道IGBT

飞兆半导体公司推出1200V NPT沟道IGBT FGA25N120ANTD,结合了良好的抗雪崩能力和经优化的开关和导通损耗性能权衡,能为电磁加热(IH)应用提高系统可靠性和效率。FGA25N120ANTD为微波炉、IH电饭煲和其它IH炊具而设计,与上一代器件相比,它的工作温度可降低10℃,因而能够延长系统寿命。NPT沟道IGBT采用飞兆半导体的专利沟道技术和非穿通型(NPT)技术。这种优化的单元设计和薄型晶圆制造工艺使得FGA25N120ANTD能够耐受最大450mJ的雪崩能量,确保在异常的雪崩模式情况下仍能进行无故障运作。FGA25N120ANTD以TO-3P无铅封装形…     

安森美半导体和Nantero公司联合开发碳纳米管技术

安森美半导体和Nantero两家公司将携手开发半导体工艺技术,在安森美半导体美国俄勒冈州Gresham的工厂将碳纳米管集成到CMOS晶圆制造。2006年5月29日—安森美半导体(ONSemiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)和Nantero公司宣布他们联手开发创新的半导体工艺技术,持续开展在CMOS晶圆制造中有效地集成碳纳米管。联合开发项目在安森美半导体美国俄勒冈州Gresham的制造厂区进行。该厂是最近从LSILogicCorporation购买的,其制造能力可精确至130纳米(nm)节点,是与Nantero技术开发项目的理想之选。当安森美半导体在本月早期接手此厂区…     

微波半导体功率器件及其应用

本文介绍了微波半导体技术主要特点,功率器件和单片集成电路特性及其应用。     

微波数字基站用上GaN晶体管

NHK放送技术研究所开发成功了面向微波数字电视中继站的、配备使用GaN(氮化镓)半导体晶体管的功率放大器,并在近日举行的“技研展2006”上展出。通过用GaN晶体管替代原使用的硅晶体管,将功率放大器的尺寸减至原来的一半以下。同时有望“降低生产成本”。在2006年内采用。为了把微波数字电视的电波传送到山区和海岛等偏远地区,必须设立很多中继站,而这时就需要解决设备尺寸减小和成本降低等重要问题。此次功率放大器之所以能实现小型化,有两方面的原因。即:通过提高效率来控制发热量;通过控制信号失真来简化电路。效率方面,从原来的3%～5%…     

纳米技术与器件的应用（3）

主要叙述纳米技术、纳米材料、量子器件及其应用。     

碳化硅器件及其应用

作为宽带半导体材料的SiC及其器件制造技术近年来得到迅速发展。与其它半导体材料相比,SiC独特的热特性和电特性,在功率和频率性能方面具有很高的品质因数。SiC还适应高温和辐射环境。本文主要叙述SiC材料的特性、器件制作技术及其应用。     

微波／毫米波砷化镓单片集成电路及其应用（3）

主要介绍国外微波／毫米波砷化镓单片集成电路的开发及其应用。     

国外SiGe器件及其应用

本文主要叙述SiGe器件的材料、制作工艺及其器件应用。