ZnO基薄膜晶体管的研究

ZnO是一种宽带隙的光电半导体材料,能应用于很多领域,如可用在压敏变阻器、声表面波器件、气敏元件、紫外光探测等。ZnO也可以作为有源层应用于薄膜晶体管(TFT)中。ZnO基薄膜晶体管具有以下突出优势:对于可见光部分平均具有80%以上的透射率,迁移率可以高达36cm2/V·s,开/关电流比大于106,可在较低温度(甚至室温)下制备。基于这些优点,ZnOTFT具有取代有源矩阵液晶显示器中常规a-SiTFT的趋势。同时对ZnOTFT的研究也推动了透明电子学的发展。本文阐述了ZnOTFT优越的电学性能,指出了其目前尚存在的不足,并对其发展前景进行了展望。     

GB／T28001标准4．4．6d）要素懿充分性审核

GB／T28001标准4．4．6d）要素是系统本质安全设计理论在标准中的具体应用,要求对新项目按照“三同时”的有关规定,在实施前进行安全和职业病预评价,并编制项目设计文件对系统本质安全设计作出全面规划。系统本质安全设计的意义在于,对生活、生产实践中的事故由被动接受上升到事先积极预防,从源头杜绝事故,将“人-机-环境-管理”这一系统表现出的安全性能,通过优化资源配置和提高系统完备性、可靠性等设计实现整个系统的“本质”安全化。     

提高设计和开发活动中环境因素控制审核的有效性

审核员对组织设计和开发活动中环境因素审核存在一个普遍问题，即往往只关注办公活动中的环境因素，如计算机辅助设计过程中的电能消耗、纸张浪费和复印机硒鼓墨盒的废弃等环境因素，却忽略了产品及工艺设计和开发核心业务活动中的环境因素，如产品结构优化设计和环保节能工艺技术选用等环境因素。     

基于ISO9001标准7．5．2要求的焊接过程理解与审核

一、为过程的评审和批准所规定的准则 过程评审所规定的准则指的是焊接工艺评定标准。为确保焊接结构质量，法规强制性要求锅炉和压力容器等钢结构焊接前依据焊接工艺评定标准开展焊接工艺评定，以验证焊接工艺指导书的正确性；评定施焊单位焊出符合有关规程和产品技术条件所要求的焊接接头的能力。焊接工艺评定标准因行业不同而异，     

基于 Mini-LVDS 技术的 TFT-LCD 时序控制器的设计

为了实现基于FPGA的具有Mini-LVDS接口的TFT-LCD时序控制器,对TFT-LCD的时序控制器、Mini-LVDS技术的数据排列方式和FPGA的功能进行了研究。通过对Mini-LVDS的数据排列方式的研究,提出了独特的数据处理方法。利用FPGA内嵌的SRAM,设计了一种并行转串行的转换器,把一行的数据分成前半部分和后半部分并同时向外输出;利用D触发器、延时的方法实现了相邻二点的数据串并转换;综合利用移位寄存器、串行加法器和DDR技术,设计了一种8∶1的并串转换电路,实现了子像素内数据的并串转换。利用Xilinx公司的FPGA的输出宏单元,设计了把CMOS逻辑电平信号转换为Mini-LVDS逻辑电平信号的数据发送器。利用Xilinx公司的FPGA的时钟宏单元块,探讨并解决了多时钟的问题。通过研究Mini-LVDS和时序控制器的特性,提出了复位信号的产生方法和相对应的数据处理方法。利用此方法设计出的具有Mini-LVDS接口的时序控制器已应用于本公司的分辨率为1 280×1 024的产品中,数据的传输频率达108MHz,颜色深度为24bit。这个产品的显示画面清晰,过渡自然。利用此方法设计的TFT-LCD的时序控制器基本符合稳定可靠、抗干扰能力强等要求。     

RF磁控溅射法原位制备C轴择优取向ZnO薄膜

采用RF磁控溅射法在玻璃衬底上原位低温生长ZnO薄膜.生长出的薄膜对可见光具有高于90%的透射率,该薄膜具有良好的C轴取向.利用X射线衍射(XRD)的测试结果,分析了溅射工艺条件如衬底温度、氩氧比和溅射气压等对薄膜性能的影响,得到最佳的生长工艺条件为:衬底温度300 ℃,溅射气压1 Pa,氩氧比为25 sccm∶15 sccm.在此条件下生长的ZnO薄膜具有良好的C轴择优取向,并且薄膜的结晶性能良好.采用这种方法制备的ZnO薄膜适合用于制备平板显示器的透明薄膜晶体管和太阳电池的透明导电电极.