PbS/Cu2O异质结的制备和性能表征

采用电化学沉积法在酸性电解液中制备n型Cu2O薄膜,并对其进行Cl掺杂,制备Cu2O-Cl结构.然后利用连续离子吸附法在样品薄膜上复合PbS量子点.通过SEM和UV-vis对样品进行表征,并对样品的光电化学性能进行了测试.结果表明,未掺杂的Cu2O对PbS量子点的吸附能力较强一些,经PbS敏化后的样品在太阳光谱的吸收拓展到了近红外区,PbS/Cu2O和PbS/Cu2O-Cl复合结构的光电化学性能均有所增加,尤其是短路电流密度.PbS复合后的样品转换效率最高仅为0.67％,主要原因是两者能级的不匹配,形成异质结时引入界面态,得不到理想的转换效率.     

First-principles Study of Lattice, Magnetism and Electronic Structure for Fe-Based Superconductors: LaOFeAs, AFe2As2 (A=Sr, Ca), MFeAs (M=Li, Na) and FeSe

采用密度泛函理论(density functional theory,DFT)中的线性缀加平面波结合增强局域轨道(linearized augmented plane waveand the improved local orbital,APW+lo)的方法研究了新型铁基超导体 LaOFeAs,SrFe2As2, CaFe2As2, LiFeAs,NaFeAs和FeSe的晶体结构、磁性以及电子结构。计算结果表明,铁基超导体的超导电性与该类材料的晶体几何构造以及母体的磁性有密切的关联;超导转变临界温度Tc可以随着FeAs4四面体的畸变程度的减小以及[FeAs]层间距L的增大而提高。进一步对电子结构的研究发现,铁基超导体的磁性主要来自Fe原子的磁矩,pd杂化态决定体系的物理性质,且成为铁基超导体的共有特征。     

Cl掺杂对n-Cu2O的光电性能的影响

试图用传统方法把自由电子激光推向更短波长在技术上遇到了严重挑战。利用晶体摆动场辐射作为短波长相干光源引起了人们的广泛注意。利用Lindhard势, 在经典力学框架内把粒子运动方程化为广义Duffing方程, 利用平均法分析了粒子在次共振附近的运动行为; 并对系统的跳跃现象和临界特征进行了讨论。结果表明, 系统的稳定性与其参数有关, 只需适当调节这些参数, 稳定性就可以在原则上得到保证。     

提拉法制备Sm0.2Ce0.8O1.9单层缓冲层及其性能研究（英文）

在双轴织构的Ni-5%W合金基带上,采用高分子辅助化学溶液沉积法通过提拉涂敷法,制备了厚度达250nm的Sm_0.2Ce_0.8O_1.9（SCO）外延织构单层缓冲层。通过严格控制前驱溶液的浓度、提拉速度、成相温度和热处理时间,所获的SCO单层缓冲层涂层平整、无微裂纹、且具有较强的（200）c轴外延织构。在其他条件假设不变的情况下,主要研究不同提拉速度对SCO缓冲层薄膜性能的影响。在此基础上,采用化学溶液法在SCO/NiW缓冲层上制备了YBCO超导层,其具有高度的双轴织构和均匀的表面形貌。结果表明:用提拉法获得的SCO单层缓冲层在具有适度的厚度下,仍然具有很好的织构传递特性,为低层本制造YBCO涂层导体长带提供了一条可靠的路线。     

染料敏化太阳能电池封装工艺的研究进展

染料敏化太阳能电池(Dye-sensitized solar cells,DSSC)作为第3代太阳能电池而受到广泛关注,但使用寿命短一直是制约DSSC进入实用阶段的主要因素之一。液态电解质的DSSC往往因为电解质挥发或渗漏而失效,因此封装工艺成为保障此类DSSC性能稳定和持久的重要手段。将DSSC相关技术中的封装环节独立出来,简述了近几年来DSSC封装工艺的进展。主要对小面积DSSC、大面积DSSC模块(包括柔性DSSC、可填充DSSC)和管状DSSC的封装材料和流程以及几种DSSC的性能特点进行阐述,对封装技术的发展方向以及应用提出了一些看法。     

Effects of La- and Pr-Substitution on the Structure and Superconductivity of Ba0.6K0.4BiO3

利用熔盐法制备了Ba0.6-yLayK0.4BiO3和Ba0.6-zPrzK0.4BiO3 2个系列的样品,其中La和Pr的掺杂量y和z分别为 0, 0.025, 0.05, 0.1, 0.2, 0.3, 0.4。X射线粉末衍射结果显示,Pr掺杂使得BKBO晶体结构由最初的立方晶系转变成为正交晶系,但是La掺杂样品却没有发生此种晶体结构的变化。La掺杂样品Ba0.6-yLayK0.4BiO3的准晶格参数ap随掺杂量的增大而线性减小,其变化遵循ap = 4.28257–0.02469y (0.025 ≤ y ≤ 0.4)的规律。样品磁性测量结果表明,掺杂样品的超导转变温度Tc均随着掺杂量的增大而系统性地减小,并且当掺杂量达到0.2时,2个系统中的超导转变均消失。认为掺杂引起的晶体结构扭曲及铋化合价的不均衡导致了BKBO掺杂系统超导电性的变化。     

Pechini法制备TiO_2薄膜及其在染料敏化太阳电池中的应用

用Pechini法在FTO导电玻璃上制备不同厚度的TiO2薄膜,并组装成染料敏化太阳能电池。XRD结果表明,在450℃退火1h得到了主相为锐钛矿的TiO2。SEM结果表明,TiO2薄膜表面疏松多孔,粒径均匀,厚度在6~15μm。紫外-可见光谱分析表明,TiO2薄膜染料的吸附量随薄膜厚度的增加而增加。光电性能研究表明,在0.005W/cm2的弱光照下,膜1(厚6μm)和膜2(厚15μm)光阳极的光电转换效率分别为6.85%和11.83%;在0.1 W/cm2的模拟标准太阳光照下,膜1和膜2光阳极的光电转换效率分别为1.72%和2.39%。     

Preparation and Performance of the Sm0.2Ce0.8O1.9-x Single Buffer Layer Fabricated with Dip-Coating

在双轴织构的Ni-5％W合金基带上,采用高分子辅助化学溶液沉积法通过提拉涂敷法,制备了厚度达250 nm的Sm0.2Ce0.8O1.9(SCO)外延织构单层缓冲层.通过严格控制前驱溶液的浓度、提拉速度、成相温度和热处理时间,所获的SCO单层缓冲层涂层平整、无微裂纹、且具有较强的(200)c轴外延织构.在其他条件假设不变的情况下,主要研究不同提拉速度对SCO缓冲层薄膜性能的影响.在此基础上,采用化学溶液法在SCO/NiW缓冲层上制备了YBCO超导层,其具有高度的双轴织构和均匀的表面形貌.结果表明:用提拉法获得的SCO单层缓冲层在具有适度的厚度下,仍然具有很好的织构传递特性,为低层本制造YBCO涂层导体长带提供了一条可靠的路线.     

PbS量子点/ZnO纳米片复合膜的制备及其光电化学性能

通过两步法合成PbS量子点(QDs)修饰ZnO纳米片复合膜. 首先利用电化学法在掺氟的SnO₂导电玻璃(FTO)上生长ZnO纳米片, 然后在ZnO纳米片上通过逐次化学浴法沉积PbS量子点形成PbS/ZnO复合膜. 利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)详细表征了样品的表面形貌和晶体结构, 并研究了PbS/ZnO复合膜作为量子点敏化太阳能电池光阳极的紫外-可见吸收谱、光电化学性能和表面光电压谱. 对比ZnO纳米片经PbS量子点修饰前后, 发现PbS量子点修饰后光阳极的光吸收和光伏响应均从紫外区拓宽到了可见光区, 同时光电化学性能有了显著提高, 短路电流密度从敏化前的0.1 mA/cm²增加到0.7 mA/cm², 效率由0.04%增加到0.57%. 与单一ZnO纳米片相比, PbS/ZnO复合膜的表面光伏响应强度明显增强, 说明PbS与ZnO之间形成了有利于光生电荷分离的异质结, 从而导致了PbS/ZnO复合膜光电性能的增加.     

一种新型化学溶液沉积法制备涂层导体用RE2O3（RE=Y, Sm, Eu, Dy, Yb）缓冲层

用一种新的化学溶液沉积方法在双轴织构NiW (200)合金基底上制备了涂层导体用稀土氧化物RE2O3(RE=Y, Sm, Eu, Dy, Yb)缓冲层.分别利用X射线衍射,扫描电子显微镜,原子力显微镜对制得的RE2O3缓冲层的相结构、织构、表面形貌和平整度进行了检测.结果表明,RE2O3缓冲层具有较好的双轴织构,表面平整无裂纹.