硅片步进机光学系统

菲利浦实验室设计用于直接在硅片上制作集成电路光掩模图形的分步重复投影曝光装置—Silicon Repeater,曾在早期发行的本刊中有过简结的叙述。经过对初始样机的不断改进,目前此技术已日趋成熟,能以更高的分辨率对硅片进行高速曝光。本文阐述了Silicon Repeater 最佳的技术规格——主要由物理极限来确定的可见光光学系統的先进设计。     

影干涉光刻技术

采用λ／２的光束复制出了更高分辨率极限的线间图形，它将电路图形的ＣＤ尺寸极限推进到λ／４，当采用１９３ｎｍ光源曝光时，ＣＤ尺寸为５０ｎｍ以下。干涉光刻技术（ＩＬ）探讨了这种周期性图形的最终极限。影像干涉光技术未来的发展，将使光学方法１００ｎｍ 下的电路图形成为可能。     

193nm浸液式光刻技术现状

概述了193nm浸液式光刻技术发展现状及技术路线,结合国际半导体技术发展指南(ITRS)和各公司在SPIE微光刻研讨会上宣布的最新研究成果,探讨了193nm浸液式光刻技术的发展趋势。     

国外光刻制版设备发展动态

主要述评了近两年来国外光刻制版设备的最新发展动态.新颖的扫描激光掩模制作设备正在迅速地向64M DRAM器件的制版领域渗透,i线片子步进机与移相掩模技术的结合将在0.35微米的64M DRAM时代占据优势,潜力巨大的准分子激光步进机与移相掩模的结合将使传统的光学光刻技术于1996年进入0.15微米图形线宽的1GDRAM时代     

向32nm迈进的光刻技术

概述了用于45nm节点的各种光刻技术发展现状及技术路线,结合国际半导体技术发展指南(ITRS)和各公司最新宣布的研究成果,探讨了各种光刻技术用于32nm节点的可能性。     

用于IC封装的光刻设备

光刻是圆片级封装的一种最重要的工艺,无论是焊盘分布、焊凸形成、密封或其它新出现的需求,晶圆上精确的成像区域对每一种工序来讲是最重要的。评述了一些圆片级封装的光刻系统及为什么某些专门的设备能很好地适于应用,会是接近式光刻机、步进投影光刻机还是一些替代设备在未来的几年内来满足这种需求?我们将探索这种可能性。     

珀金—爱尔默公司500型光刻机的套刻性能

本文主要通过珀金—爱尔默公司的微对准500系列光刻机叙述了鉴定光刻机套刻性能的过程和结果,讨论了机器在接触复印中以及两台机器匹配混合光刻中的套刻、稳定性和自动对准情况。初步的自动对准结果表明应用98％这一极限其中包括对准和畸变误差,可以使总套刻测量精变保持在0.3微米以内。     

对于几种型式的1∶1光学扫描光刻机套准精度问题的研究

本文研究了在1:1光学扫描式光刻机中影响套准精度的一些因素。评价了部分此类设备的综合套准精度。通过采用基于光学原理的精细图形技术或是基于电气原理的自动测量枝术,收集了大量的有关数据。     

用于投影光刻机掩模自动对准的锁相干涉技术

<正> 本文叙述了用于投影光刻机中的一种掩模对准技术。在片子与掩模的对准中,通过一种锁相干涉法确定其偏移量。此方法采用的对准图形是一种交叉的栅格,用氦氖激光束照明。经过衍射和干涉后得到了一种谐波强度信号,信号的相位表示了掩模与片子的相对位移。用一个电流计扫描仪驱动一块可倾斜的玻璃片来实现相位调制和精密对准。包括套准和精密对准在内总的对准操作用一个PC单元控制,具有毫微米的套准精度和低于0.3秒的对准周期。此方法特别适用于缩小步进投影光刻机中的逐场对准。最后讨论了其理论研究与试验的结果。     

后摩尔时代的封装技术

介绍了在高性能的互连和高速互连芯片(如微处理器)封装方面发挥其巨大优势的TSV互连和3D堆叠的三维封装技术。采用系统级封装(SiP)嵌入无源和有源元件的技术,有助于动态实现高度的3D-SiP尺寸缩减。将多层芯片嵌入在内核基板的腔体中;采用硅的后端工艺将无源元件集成到硅衬底上,与有源元件芯片、MEMS芯片一起形成一个混合集成的器件平台。在追求具有更高性能的未来器件的过程中,业界最为关注的是采用硅通孔(TSV)技术的3D封装、堆叠式封装以及类似在3D上具有优势的技术,并且正悄悄在技术和市场上取得实实在在的进步。随着这些创新技术在更高系统集成中的应用,为系统提供更多的附加功能和特性,推动封装技术进入后摩尔时代。