大力倡导开放式合作Cadence举办第三届亚太技术巡展(ACTS2004)侧记

Cadence Design Systems,Inc是全球最大的电子设计技术、设计方法学服务和设计服务供应商.Cadence公司的电子设计自动化(EDA)产品涵盖电子设计的整个流程,包括系统级设计、功能验证、IC综合及布局布线、模拟和混合信号及射频IC设计、全定制IC设计、IC物理验证、PCB设计和硬件仿真建模等;Cadence公司除提供EDA产品外,还提供设计方法学服务,帮助客户优化其设计流程:同时,Cadence还提供设计外包服务,协助客户进入新的市场领域.全球知名的半导体与电子系统公司均将Cadence软件作为其电子设计的标准.     

微波砷化镓场效应晶体管的进展

一、发展概况早在五十年代初期,肖克莱就提出了关于场效应晶体管的基本工作原理。由于材料和工艺方面的原因,在相当长的时间内进展迟缓。自1966年C.A.Mead提出砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管(GaAsMESFET)以来,普遍认为它可望成为一种很好的微波器件,竞相投入力量进行研制。1970年后,在砷化镓材料和制管工艺方面都有重大突破,从而使器件性能水平迅速提高。 1972年,GaAsMESFET已达到在10千兆赫下,噪声系数3.5分贝,增益6.6分贝。远远超过硅双极晶体管的性能。而且也提出了考虑到载流子速度饱和谷间散射的噪声模     

微波砷化镓场效应晶体管的进展(续)

<正> 三、GaAsFET 的应用随着 GaAsFET 的迅速发展,应用范围也日趋扩大。在一定范围内将逐步取代雪崩二极管、耿二极管、参量放大器和中、小功率行波管。在微波中继装置、多路无线电通信、卫星通信、雷达和电子对抗等微波电子设备中都能得到广泛应用。GaAsFET 可用作放大器、振荡器、混频器、限幅器、调制器、微波开关以及数学开关逻辑电路等。但到目前为止,普遍应用的主要是放大器,对其研究较成熟,市场上产品也较多。近几年来,在振荡器和混频器等方面的研究逐渐增多,但基本上还处于研     

从国际半导体设备及材料西部展览会看半导体设备发展趋势与策略

半导体设备及材料国际组织(SEMI)于1992年6月16至18日在美国旧金山举办了一年一度的国际半导体设备及材料西部展览会.展览会规模很大,参展公司约1110家,展位2800个,展馆建筑面积为120万平方英尺;参展和参观人数约7万人.展出的产品涉及超大规模集成电路的设计、制造及测试等各个方面所需的设备和材料,品种齐全多样,IC设计     

砷化镓器件的欧姆接触工艺

一、引言对于砷化镓的电极金属正在大力进行研究。特别是由柯克斯等人所研究的 In-Ag-Ge 合金,甚至对低浓度的 N 型砷化镓也显示出欧姆特性,同时也适用于器件的电极金属。但是对于低浓度的 P 型和 N 型砷化镓的研究,以及对于砷化镓器件,特别是集成电路工艺的研究,尚有不少问题有待解决。本文叙述了关于砷化镓集成电路工艺所必须的电极工艺的研究结果。采用了 Ag     

国外半导体工业发展现状与趋势

国外半导体工业发展现状与趋势北京电子工业部科技情报所（１０００３９）罗敬承半导体技术及工业生产水平一直以高速发展而著称。今天，半导体的广泛应用已对国家经济、政治及人们的工作和生活产生了深远影响，半导体工业也已发展成为一个产值超千亿美元的大型工业。发达...     

国外半导体工业发展现状与趋势（续）

国外半导体工业发展现状与趋势（续）电子工业部科技情报所（北京１０００３９）罗敬承随着集成度的增加，工艺及设备复杂化，研究开发和生产设备投资急剧增加。据预测，ＩＣＤＲＡＭ的研究开发投资将是１ＭＤＲＡＭ的１０～１５倍；其生产设备投资在同样产量时将提高４０...