Si／Si1—xGex异质结器件

本文综述了国外Si/Si_(1-x)Ge_xHBT的发展状况,把出Si_(1-x)Ge_xHBT的特点和优越性,分析了Si_(1-x)Ge_xHBT的制造技术和设备要求,指出了Si/Si_(1-x)Gex器件的应用前景。     

减小窄条宽度效应、按比例缩小的硅局部氧化工艺

MOS电路的按比例缩小,除了常见的短沟道问题外,还导致晶体管窄条宽度的增加。在本文中,我们提出一种技术,它用高压氧化生长隔离氧化层的方法来减小这些窄条宽度效应。高压氧化允许减小沟道阻挡剂量,从而减小壕沟浸入,同时保持器件间足够的隔离性能。本文提供了壕沟浸入、厚场晶体管和壕沟二极管的数据以及提供了模拟结果的讨论。探讨了这些数据之间的相互关系以及折衷选择。     

无锡微电子科研中心一九八八年新品开发成绩卓著

无锡微电子科研中心1988年在新品开发方面取得了卓著的成绩,共有15种电路通过设计定型,15种电路出正样,生产电路芯片110万块。 无锡微电子科研中心1988年承担科研开发电路项目40余种,其中含“七五”攻关,军工配套生产科研等重点项利10多项。     

ASIC的发展研究

首先介绍了专用集成电路（ＡＳＩＣ）的概况，指出ＡＳＩＣ可适应使用与制造的特殊要求。对ＡＳＩＣ的发展与市场进行了研究，给出了市场增长情况和世界ＡＳＩＣ产品市场及预测以及产品按地区、工艺、应用分布表。对ＡＳＩＣ技术和发展趋势也作了较详细的介绍，亚微米ＣＭＯＳ技术已开始用于ＡＳＩＣ。     

军用ASIC及其对策

本文阐述了ASIC(专用集成电路)在现代国防中的地位和作用,简要介绍了军用ASIC的特点,阐述了军用ASIC与民用ASIC的相互关系。以大量的数据和资料综述了ASIC的发展和市场情况,特别对美国等国外军用ASIC发展模式和特点进行了分析和剖析。对发展ASIC的两大支柱——(1)ASIC的设计技术;(2)ASIC的工艺技术和标准加工线进行了重点讨论。分析了我国ASIC的发展状况,并结合我国国情,提出了加速发展我国军用ASIC的具体对策。     

高掺杂肖特基势垒场效应晶体管研究

砷化镓肖特基势垒场效应晶体管在1微米结构下实现了f_(max)在30千兆赫以上(比已经报导的其它晶体管的f_(nax)高2.5倍)。报导了详细的测量结果同时讨论了已经达到的或者是希望的工艺改进。对于硅肖特基场效应晶体管,铂和钯作为栅材料显示了击穿行为的改善。一种减少Si-SiO_2界面处载流子浓度以增加肖特基栅击穿的器件的研究工作已经开始。硅外延的制备被调整到很低的沉积速度(150埃/分),以便能控制形成在500至1000埃厚之间的沟道。     

GaAs MES FET单片集成电路工艺研究

用缓冲场效应晶体管逻辑(BFL)电路,研究了GaAs MES FET单片集成电路的工艺.为提高单片电路的集成度,给出了设计平面器件最小欧姆接触长度的直读曲线.对磷酸系腐蚀液的工艺特性进行了研究,并与其他几种常用的腐蚀液进行了比较.采用盐酸浸泡法结合栅区深腐蚀技术,明显地改善了肖特基势垒结的特性.利用俄歇能谱仪对Au-Ti-GaAs肖特基势垒结的热退化失效进行了分析,并提出了改善措施.已制出管芯平均传输时延小于100ps的GaAs单片集成门电路.     

半导体集成电路的柔性生产技术

半导体集成电路的柔性生产技术华晶中央研究所（无锡２１４０３５）罗浩平１概述随着微电子技术的迅速发展，半导体ＩＣ的器件容量每三年增加一倍，而位单价每三年减低一半。目前，１６兆位的动态随机存储器（ＤＲＡＭ）及０．５微米的工艺线已商用化。预计１９９６年６４...     

从金-锗-镍熔体中砷化镓的液相外延生长

为了研究Ni/An-Ge/GaAs合金接触,从Au-Ge和Au-Ge-Ni蒋体中生长了GaAs外延层。测量了GaAs在Au-Ge和Au-Ge-Ni合金中的溶解度。讨论了Au、Ge和Ni在Ni/Au-Ge/GaAs合金接触中的电学特性。基于液相外延生长实验的结果,我们提出了在n型砷化镓上用Au-Ge-Ni合金制作低的比接触电阻的欧姆接触的条件。也测量了Ni/Au-Ge/GaAs合金接触的比接触电阻。     

如何封装高性能存储器

<正> 芯片规模封装(CSP)广泛应用于电子工业,解决了产品尺寸与功能比的问题。当前,电子产品朝着更大功率、轻、薄、短、小的方向发展。例如,数字照相机和摄录相机,必须考虑使用方便、重量轻、性能好。对于更高效小型化器件,如电话、寻呼机、个人通信机、掌上电脑、工业和自动电子、个人 GPS、以及医学和诊断产品来说,CSP 更是切实可行。存储器件是市场上大批量采用 CSP 的第一类商品型产品。然而,DSP、控制器、CPU,以及任何特殊作用IC 器件也是 CSP 的基本选择对象。在存储器封装应用上,性能是关键。RDRAM