基于自适应增量调制的语音延时电路设计

传统的脉冲编码调制需要较长的码,其实现结构复杂。文中介绍了增量调制(DM)的原理,说明了它的优缺点,引入了对它改进后的调制方式——自适应增量调制(ADM)。自适应增量调制不仅集成了DM调制实现结构简单的特点,而且大大降低了DM调制中的量化噪声和斜率过载噪声,性能更为优良。根据ADM的原理,设计了采用自适应增量调制原理的语音延时电路,通过流片验证了其优异的性能,实测延时后的噪声电压为-88dBV,总谐波噪声+失真<0.5%。     

一种STN-LCD驱动电路的可靠性分析与设计

文章主要对一种常规的小规模STN-LCD驱动电路在使用过程中出现的可靠性失效问题进行分析和讨论,对在干扰环境中工作的集成电路的芯片级的抗干扰和可靠性设计提出了一些建议及总结。在实际分析过程中,采用模拟再现实际使用环境进行实验等方式,对电路出现的失效现象进行再现和定位。通过对失效结构的设计线路和失效机理的分析,对具体引起失效的上电复位结构和通信端口结构进行了设计改进。目前,经过实际流片和测试,改进方案通过了验证。     

用于200V电平位移电路的薄层SOI高压LDMOS

文章基于1.5μm厚顶层硅SOI材料,设计了用于200 V电平位移电路的高压LDMOS,包括薄栅氧nLDMOS和厚栅氧pLDMOS。薄栅氧nLDMOS和厚栅氧pLDMOS都采用多阶场板以提高器件耐压,厚栅氧pLDMOS采用场注技术形成源端补充注入,避免了器件发生背栅穿通。文中分析了漂移区长度、注入剂量和场板对器件耐压的影响。实验表明,薄栅氧nLDMOS和厚栅氧pLDMOS耐压分别达到344 V和340 V。采用文中设计的高压器件,成功研制出200 V高压电平位移电路。