金属诱导晶化(MIC)模式非晶晶化的原位透射电子显微学研究

非晶晶化作为一种制备晶体材料的有效方法已得到广泛应用,近年来,采用金属诱导晶化(metal induced crystallization, MIC)法显著降低材料的晶化温度引起了研究者们的兴趣。为探究MIC模式下温度对金属催化剂扩散行为及晶化过程中材料结构变化的本征影响,本研究以金属Pt诱导非晶硅晶化为例,采用透射电镜结合原位热学研究方法,在原子尺度上直接观察MIC模式下非晶硅的晶化过程。结果显示在550℃下Pt/Si界面处产生了硅化物Pt₂Si等化合物,使得材料界面处出现明显的结构变化。而当温度升高至650℃时,Pt会以颗粒移动的形式发生扩散,且扩散过程中会发生明显的几何结构变化。Pt与非晶硅不同的扩散速度会导致界面处出现柯肯达尔孔洞而阻碍界面处两种材料的进一步扩散。当温度升高至700℃时,非晶硅发生晶化,且在此过程中Pt对非晶硅的晶化起了促进作用。     

天然矿物电气石对水分子团簇的影响

以新疆产天然电气石为原料制备了电气石微粉,利用X射线衍射仪、扫描电镜、高分辨电镜、17O核磁共振研究了电气石微粉的物相结构、微结构特点和电气石的热释电性对水分子团簇结构影响,并对其作用的机理进行了探讨。结果表明,所制备的电气石微粉的结晶性完好,具有单向极性结构的热释电性材料电气石的微晶在温度涨落的环境中可视为电偶极子;电气石粉对水的17O核磁共振谱的半峰宽具有明显的影响,从HW=145.41Hz降到HW=81.11Hz,表明电气石微粉对水分子团簇结构的改善有明显的作用。     

Ca0.28Ba0.72Nb2O6晶体结构的高分辨电子显微学研究

Ca0.28Ba0.72Nb2O6（CBN28）晶体是一种新型的铁电材料，对其电光、压电、热电和光折变等性能的研究引起广泛的兴趣。X射线研究表明，Ca0.25Ba0.75Nb2O6（CBN25）结构上类似于四方钨青铜（TTB）晶体Sr0.5Ba0.5Nb2O6（SBN）。TTB晶体骨架由Nb-O八面体共顶点相连而成，沿c方向形成三角、四方和五角通道，不同有效半径的掺杂离子选择性地占据不同的通道。     

格上高效的环签名方案

为了解决传统格上环签名方案中验证密钥过大,且其密钥大小随环成员数量成线性变化的问题.利用理想格的代数结构和MP12陷门派生技术,构造了一种格上高效的环签名方案.在该方案中,签名是由单个格向量构成,环签名的签名秘钥相对较小,且其验证密钥大小接近一个小常数.在签名运算过程中降低了运算复杂度,并在标准模型下证明方案具有匿名性和不可伪造性.     

可聚合纳米SiO_2改性光固化水性聚氨酯胶膜性能研究

采用紫外辐照法将具有双键的纳米SiO2接枝于光固化水性聚氨酯(WPUA)上,得到改性纳米SiO2/WPUA胶膜。通过红外光谱(FT-IR)、X射线衍射(XRD)、差示扫描量热(DSC)、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、热重(TG)、胶膜吸水率和力学性能等测试,研究了不同含量改性纳米SiO2胶膜的微观形貌和性能。结果表明,加入改性纳米SiO2使胶膜结晶性降低,热稳定性提高,对胶膜的平整度影响不大。当改性纳米SiO2添加量为5%时,胶膜的吸水率为2.418%,拉伸强度和断裂伸长率达到最大值为10.303 MPa、368.807%,比空白膜分别增大了40.49%和66.30%,复合材料具有最佳的耐水性和力学性能。     

光学级硅酸镓镧晶体的生长初探(Ⅰ)--晶体原料、起始配比与提出量的讨论

根据制作La3Ga5SiO14(LGS)晶体电光Q开关的需要,生长了可用于制作电光Q开关的LGS晶体。根据大量晶体生长实验的结果,讨论了晶体原料纯度、来源、晶体原料起始组分配比及晶体提出量与晶体质量的关系,认为Ga2O3的纯度和来源对晶体质量的影响最大。实际生长光学应用的LGS晶体过程中,La2O3纯度为5N(或6N),而SiO2为6N。起始组分配比应选共熔点处的配比,即x(La2O3)=30．00％,x(Ga2O3)=50．65％,x(SiO2)=19．35％。考虑到生长过程中Ga2O3的挥发,Ga2O3应适当过量,n(Ga)／n(Si)范围为5．20～5．30。晶体提出量与起始组分有关,晶体提出量以50％～60％为宜。     

Ru对一种第四代单晶高温合金γ/γ′相中元素分布及高温蠕变性能的影响

摘 要: 研究了不同Ru含量（0和2wt.%）的高Re镍基单晶高温合金在1120 ℃/140 MPa条件下的蠕变性能,采用SEM、STEM/TEM以及EDS等方法分析了Ru对合金γ/γ′相组织、合金元素成分分配比、蠕变变形组织和位错形态的影响。结果表明,与无Ru合金相比,含Ru合金γ′尺寸更为细小,γ相通道更窄,γ/γ′两相中对TCP相析出有重要影响的Re、Mo和Cr元素分配更加均匀。Ru通过降低γ′相和γ相通道尺寸,降低γ/γ′界面平均位错间距,抑制蠕变加载过程中TCP相析出,显著提高合金的高温蠕变性能。本文研究结果对认识单晶合金高温蠕变过程中Ru的强化机理方面具有理论指导意义。     

一种高效的百万富翁问题协议及其应用

百万富翁问题是安全多方计算的基础问题,但现有解决方案计算复杂度高且效率较低,在两数相等时无法进行精确比较。针对该问题,提出一种基于0-1编码的百万富翁问题协议。使用改进的0-1保密数据编码规则构建向量,利用ElGamal同态加密变体算法的同态性质,将百万富翁问题转化为向量中两元素求和的问题,同时在半诚实模型下利用模拟范例证明协议的正确性与安全性,并将其应用于安全两方集合交集个数问题的求解。实验结果表明,与采用ElGamal和Paillier同态加密算法的协议相比,该协议计算复杂度更低且效率更高,可在两数相等时进行准确对比。