分子束外延生长Al_xGa_(1-x)As/GaAs超晶格及结构、光学特性研究

报道了分子束外延生长80个周期的Al_xGa_(1-x)As/GaAs超晶格,X射线衍射和透射电镜的结果表明超晶格样品有良好的结构特性,光反射光谱观察到阱内的电子跃迁过程,其结果与理论计算相符。     

La2/3Ca1/3MnO3薄膜结构与输运性质

用磁控溅射方法在不同单晶衬底材料上制备了一系列含La2／3Ca1／3MnO3(LCMO)薄膜。当薄膜厚度大于200A,在我们实验条件下可观测到金属．绝缘体转变,且转变温度随厚度和衬底材料而变化。渗流电阻模型被用来解释薄膜材料的电输运特性,结合薄膜外延特性(晶格失配)和薄膜与衬底的相互作用,及薄膜表面、界面粗糙度的测量可知薄膜的剩余电阻、极化子的激活能、金属．绝缘体转变温度等密切与薄膜质量相关。     

AlGaN/GaN异质结构的X射线衍射研究

在(0001)取向的蓝宝石(α-A12O3)基片上用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长了势垒层厚度为1000A的Al0．22Ga0．78N／GaN异质结构,利用高分辨X射线衍射(HRXRD)技术测量了样品的对称反射(0002)和非对称反射(1014)的倒易空间Mapping(RSM)。结果表明,样品势垒层的内部微结构与应变状态和下层i-GaN的微结构与应变状态互相关联。样品势垒层的微应变已经发生弛豫,而且具有一种“非常规”应变弛豫状态,这种弛豫状态的来源可能与n-AIGaN的内部缺陷以及i-GaN／α-Al2O3界面应变弛豫状态有关。掠入射X射线衍射研究表明样品内部的应变是不均匀的,由表层的横向压应变状态过渡到下层的张应变状态,与根据倒易空间Mapping分析得到的结果一致。     

低温生长的Ge／Si超晶格界面结构的X射线散射研究

低温下用MBE方法生长了Ge／Si超晶格。X射线近边吸收限精细结构研究表明，Ge与Si再Ge／Si界面处存在化学混合。X射线反射及横向散射研究表明，Ge亚层上下表面的粗糙度呈反对称，下表面大的粗糙度来源于Ge向Si亚层中扩散形成SiGe混合组分结构：这种组分结构可以用一平均成份的SiGe合金层加以拟合，从而使得各亚层均有一个合理的粗糙度。旋转样品进行的X射线散射研究表明，这种SiGe的混合是各向同性的，这与透射电子显微镜的研究结构相一致。     

调制掺杂AlxGa1-xN/GaN异质结构的微应变

用MOCVD方法在 (0 0 0 1)取向的蓝宝石 (α -Al2 O3)衬底上生长了不同势垒层厚度的Al0 .2 2Ga0 .78N/GaN异质结构 ,利用高分辨X射线衍射 (HRXRD)测量了其对称反射 (0 0 0 2 )和非对称反射 (10 14 )的倒易空间图 (RSM )。分析结果表明 ,势垒层内部微结构与应变状态和下层i -GaN的微结构与应变状态互相关联 ,当厚度大于 75 0 时 ,势垒层开始发生应变弛豫 ,临界厚度大于5 0 0 。势垒层具有一种“非常规”应变弛豫状态 ,这种状态的来源可能与n -AlGaN的内部缺陷以及i-GaN/α -Al2 O3界面应变弛豫状态有关     

GdBa_2Cu_3O_(7-δ)薄膜样品中的不可逆线

分别测量了GdBa2Cu3O7-δ薄膜样品在H//c和H//ab时多个磁场下以及H=4T时不同角度下的的R-T曲线。低电阻区的电阻温度关系可以用磁通玻璃模型来解释,从中得到不可逆磁场-温度关系与R-T曲线上R/Rn=0.05%定义的磁场-温度关系相一致。H//c和H//ab两种情形下得到的磁场-温度关系具有较大差别表明不同的晶轴方向存在着不同的磁通钉扎行为。基于三维Ginzburg-Landau理论的有效磁场标度方程得到恒定磁场下不可逆温度随角度的变化关系获得了各向异性参数γ=7.3,表明GdBa2Cu3O7-δ薄膜的各向异性较大。     

磁性[Co（t）／Cu]n周期多层膜的结构与巨磁电阻效应

用磁控溅射方法制备了一系列[C(t)/Cu(2.04nm))In(n＝20,30)周期多层膜，利用四端点法、振动样品磁强计研究了多层膜的电磁性质，样品的磁电阻随钴亚层厚度的增大有一最佳值t＝1.2nm。利用同步辐射掠入射X射线散射(衍射)技术在不同的X射线能量下研究了耦合多层腹的界面结构，探索了耦合多层膜中磁电阻增强的可能原因。     

准周期a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格研究中的新结果(英文)

We are the first to report the realization of quasiperiodic amorphous semiconductor superlattices composed of alternating layers of a-Si:H and a-SiNx:H to form a Fibonacci sequence in which the ratio of incommensurate periods is equal to the golden mean T=(1+5~(1/2))/2. In the present work new results of low-angle X-ray diffraction pattern with Lf = τLa + Lb= 148A are well consistent with a numerical calculation using formula Km,n = 2τLf-1 (mτ +n), which further demonstrate the peculiarities of quasiperiodicity. From electrical measurements done along the film plane, the feature of temperature dependence of σd suggests that there are two transport pathes at different temperature region. We tentatively explain this phenomenon in terms of the different space charge density and mobility edge in two distinct building blocks A and B of quasiperiodic a-Si:H/a-SiNx:H super-lattices.     

需要制定城市应急预案、应急能力的科学评估体系

在今年7月20日由中国民主同盟中央委员会主办的第四次“灾害与社会管理”专家论坛上,与会专家围绕“建立和完善保障公共安全的应急体系”的主题,分别进行了专题论述。他们的学术观点和研究成果对社会公共安全建设具有重要价值,值得关注。本期“减灾论坛”特摘发其中部分文章,并以民盟中央主席蒋树声先生在此次论坛上的开幕致辞作为这组文章的开篇,以反映在“建立和完善保障公共安全的应急体系”方面颇有意义的积极思考与探索。对此次论坛的其他文章,我们拟将分期选登。     

界面粗糙度对Co/Cu/Co/NiO自旋阀磁电阻的影响

用磁控溅射方法制备了一系列含NiO反铁磁层的Co／Cu／Co自旋阀结构。电磁输运测量表明,对相同Co／Cu／Co结构的自旋阀,NiO在自旋阀的顶部(TSV)和在自旋阀的底部(BSV)表现了不同的磁电阻值和热稳定特性。X射线镜面反射和横向漫散射测量证明小的界面粗糙度是导致磁电阻增大的主要原因,而Co与NiO层间的耦合减弱将导致MR减小,两者共同的作用决定了含NiO的自旋阀的磁电阻。我们由此设计实验将BSV自旋阀的磁电阻值提高近1倍,即达到-12％,而对称自旋阀的磁电阻则提高到15％。