影响Ar~+激光再结晶多晶硅/二氧化硅界面性质的因素

本文就Ar~+激光辐照功率、衬底温度等因素对SOI结构再结晶多晶硅/二氧化硅界面性质的影响进行研究,利用高频和准静态C-V技术测量该界面氧化物固定电荷密度N_t和界面态陷阱密度N_(it),用平面和剖面TEM分析再结晶多晶硅膜的结构特性,我们发现当衬底温度为 320℃和420℃时存在一个功率窗口 6.0～6.2W.     

激光波长对SOI激光结晶机理的影响

本文用两种波长不同的激光——Ar~+激光和CO_2激光,对以石英为衬底的a-Si SOI进行了激光结晶。两者的结晶机理不同,得到了不同的结晶形貌。