美国硅谷新成立的半导体厂家简介

下面以英文字母顺序分别介绍1982—1983年在硅谷建立的七家半导体公司。1.Altera semiconductor Corp.(阿尔特拉半导体公司)所在地:1723 Hamilton Avenul,San Jose圣何塞市哈密尔顿大街1723号产品:CMOS浮置栅EPROM负责人;总经理兼总工程师:RodneySmith     

1977年国际固态电路会议简介

一年一度的国际固态电路会议(ISSCC)在美国费城举行。1977年的会议从2月16日至18日在费城的首拉顿旅馆召开。参加这次会议的有美国和世界许多国家的电子学方面的人士。会议从早到晚接着进行。白天主要是发表论文,共分成18个专题会进行。会上宣读了近100篇论文,这些论文是从各国的应征论文中严格挑选出来的。每篇论文的宣读时间为20分钟左右,宣读完了以后,以10分钟的答疑结束。为了帮助理解论文的内容,大多数人在宣读的同时采用了幻灯,所以尽管时间很短,但是介绍的内容相当丰富。     

超高速逻辑电路实现大规模集成

亚毫微秒集成电路出现已经十年了.现在.人们希望它比过去更进一步降低功耗.提高芯片集成度。在今年的国际固态电路会议上,报告中给人以深刻印象的进展有传输延迟时间小于100微微秒的双极集成电路,4兆赫砷化镓MES场效应晶体管集成电路以及以亚毫微秒随机逻辑应用为目标的“母片’,大规模集成电路等。虽然高速集成电路的出现已经有了一段时间,但是由于它成本高,功耗大,使它的大量应用受到了限制。现在出现了一种新的双极工艺,称为抬高电极集成电路(EEIC)工艺,将有可能改变目前这种状况。     

用自对准方法制作双极晶体管

日本半导体厂家准备采用自对准方法生产双极晶体管。与普通工艺相比,在相同的掩膜精度下,用自对准方法制作的双极晶体管具有较高的工作频率。这种新工艺改进了工作特性、而且消除了其他工艺所要求的三次精确对准步骤。发明这种工艺的是日本电报电话通用公司的Mushashiho电气通讯实验室,它计划与制造厂家合作应用这种工艺制作小讯号晶体管,功率晶体管和集成电路。     

通过对耗尽型场效应晶体管与埋沟MOS电容器的测量来分析体内转移电荷耦合器件的特性

对于体内转移电荷耦合器件的特性分析可以借助于MOS电容器与场效应晶体管的测量结果。我们在MOS电容器和场效应晶体管的氧化层与衬底之间加了一层极性与衬底相反的浅掺杂层,用这样的模型来解释这些器件中观察到的电容——电压(C—V)特性的频率关系。     

两次硼注入短沟道MOSFET

本文给出了用于高速逻辑电路的两次硼离子注入 n 沟增强型 MOS EFT 器件的阈值电压和电流一电压特性。衬底采用 P 型(100)15Ω cm 的高阻材料,以降低结电容和阈值衬底敏感度。用浅的硼注入来提高阈值电压,之后,再进行一次较深的离子注入,以提高源—漏之间的穿通电压。这种方案特别有利于制作短沟道器件。我们对两次离子注入的器件进行了一维分析,以估测离子注入的剂量和能量对器件阈值电压的影响,同时我们还根据器件的几何尺寸进行了准二维分析,来了解器件的短沟道效应。为了得出电流一电压特性,一维分析用于线性区,而以泊松方程解为基础的准二维分析用于夹断区,以估测空间电荷限制电流。计算结果与实验室试制器件的特性非常符合。     

国外数字集成电路发展概况

前言集成电路(IC)是1959～1960年发展起来的。由于它具有重量轻、体积小、性能好、成本低、可靠性高等优点,现在已经在计算机、工业控制、仪器仪表、通讯、宇航、军事、民用等各领域得到广泛应用,对国民经济、科学技术和国防都具有很大的影响。     

在不同的推进气氛中硼与磷对二氧化硅层的穿通扩散

据研究发现,当采用掺杂多晶硅作为扩散源时,硼与磷会扩散到热生长二氧化硅层中去,这种扩散的快慢与推进气氛有关,在氢气中扩散最快。根据双边界扩散模型,我们计算出了扩散系数。硼在二氧化硅中的扩散系数比磷大约要大两个数量级。这点对于硅栅工艺来说非常重要。在 P 沟硅栅晶体管中.由于硼从掺杂多晶硅栅电极扩散到栅氧化层中去,从而会引起晶体管性能的不稳定。     

典型~(60)Co辐射装置中经受辐射的MOSFET IC的剂量增强效应

利用对离子注入的电离辐射敏感的CMOS剂量测定器的响应特性证实,在典型的~(60)Co辐射装置中,剂量增强达55％。这些IC分成对作试验,其中一类在硅芯片上方盖上氧化铝盖板,另一类在上方盖上金/柯伐盖板,以评价剂量增强效应。另外还用1.3mm厚的铅过滤层作了试验,结果证明,剂量增强效应主要是由辐射场中的低能量成分引起的。     

辐照诱发闭锁现象的分布模型

我们用集总模型方法确定了复杂集成电路中的三维效应,电路的闭锁行为往往是受三维效应支配的。我们采用了一种预处理程序,该程序能根据对电路局部结构布局和物理的基本描述,自动地生成与SPICE程序相容的、元件数多达数千个的文件。模型的结果表明,对于非对称布局的器件来说,衬底和隔离阱中的内部电位降比由金属化层电阻引起的电位降要大得多。模型分析还表明,改变背面接触(例如部分地除去电路中间部分的背面接触,以进行激光背面模拟)可使衬底中的横向电压降提高一个数量级以上,从而显著地改变闭锁特性。我们的模型可用来计算对闭锁现象和闭锁窗口效应都具有重要影响的分布电位;在采用激光模拟的情况下,还可用术确定金属遮挡或非均匀载流子产生所造成的影响。