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Nb2O5掺杂对ZnO压敏电阻器电性能的影响 总被引:5,自引:1,他引:4
本文研究了Nb_2O_5掺杂以及Nb_2O_5与ZnO煅烧对ZnO压敏电阻器电性能的影响。实验表明,Nb_2O_5的掺入使压敏电场减少,当Nb_2O_5含量为0.1%mol时,其压敏电场最小.非线性系数最大。煅烧温度越高,压敏电场越高,非线性系数越大。 相似文献
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对ZnO压敏电阻器高价Nb掺杂的缺陷模型进行了分析,据此模型对ZnO压敏电阻器的性质进行了讨论。 相似文献
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研究了MgO掺杂对ZnO压敏电阻电性能的影响。结果表明,MgO含量增加,压敏场强E1ma=V1mA/d上升,通流能力增强,非线性指数α和漏电流IL变化不大。文中还对上述结果进行了理论分析。 相似文献
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钛的复合掺杂对ZnO压敏电阻器性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
本文研究了钛以不同的复合物加入时,对ZnO压敏电阻器电性能的影响。实验表明,不同的复合物掺杂对ZnO压敏电阻器电性能影响规律不同,当钛的复合物在压敏电阻器烧结过程中有利于钛溶于晶界处的富铋液相中时,则有利于晶粒的生长。 相似文献
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ZnO压敏陶瓷的一价离子掺杂 总被引:9,自引:1,他引:8
本文研究了一价金属离子掺杂对ZnO压敏陶瓷电性能的影响。根据晶界的Schotky势垒模型分析计算了ZnO晶粒表层15nm浅范围的正电荷中心浓度ND对ZnO压敏陶瓷小电流区非线性特性的影响。结果表明ND减小,非线性增强,如果掺入ZnO压敏陶瓷中的一价金属离子进入了ZnO晶粒体内对正电中心进行补偿,则会使大电流区的非线性变差。 相似文献