康普顿散射对X射线透射谱的影响

采用一定组分的材料对X射线进行辐射屏蔽,可以吸收大部分的低能光子,减少X射线对电子系统的辐射损伤。但通过研究发现,由于康普顿散射的影响,在一定条件下,透射谱中的低能光子数不但没有减少反而大于入射谱,这对于电子元器件的辐射防护是不利的。通过改变入射源光子能谱、探测器位置、屏蔽材料类型以及屏蔽材料厚度等参量,采用蒙特卡罗方法计算并分析了散射光子对X射线透射谱的影响,得到了康普顿散射光子对X射线透射谱的影响规律,并提出了降低散射光子影响的几种措施。     

对辐射感应闭锁窗口现象的解释

中、大规模CMOS器件受到瞬态辐射时，出现了闭锁单窗口、多窗口现象。为了获得闭锁窗口的出现原因，借助对窗口现象的有关参考文献的研究，利用计算机电路模拟软件，分析了CMOS器件多个闭锁路径之间的相互作用。在此基础上，提出了解释窗口现象的“三径”闭锁模型。应指出的是，该闭锁模型还需要试验上的进一步验证与支持。     

CMOS集成电路的闭锁特性和闭锁窗口分析

由于布局结构的复杂性,CMOS集成电路可能存在多个潜在的寄生闭锁路径。各个闭锁路径因触发剂量率和闭锁维持电压、闭锁维持电流不同而相互影响．可能产生一个或多个闭锁窗口。在详细分析CMOS集成电路闭锁特性的基础上．建立了“三径”闭锁模型,对闭锁窗口现象进行了合理解释。     

UWB电磁脉冲圆孔耦合计算及试验研究

采用电磁场数值计算软件CST计算了前沿为400 ps的UWB电磁脉冲辐射场通过不同直径的圆形孔耦合到金属屏蔽腔体内的电场,对相同尺寸的带圆孔的金属屏蔽腔体在UWB辐射模拟源上进行了验证试验.通过理论计算和试验测试得到的电场衰减系数符合较好,证明采用的UWB电磁脉冲圆孔耦合计算及试验的方法是可行、正确的.     

一种抑制辐射闭锁的新方法

从体硅CMOS器件的闭锁效应入手,提出了抑制闭锁的一种新方法-伪闭锁路径法.详细探讨了伪闭锁路径的设计方法后,还提供了一个设计实例,给出了计算机仿真结果和实验验证结果.伪闭锁路径法能够较好抑制体硅CMOS器件的永久闭锁问题,但不能避免辐射引起的剂量率扰动.     

地面对电磁脉冲的反射分析

通过对水平极化电磁波在地面的反射讨论，给出了高空电磁脉冲频谱分析及其入射到土壤表面时在地面上方形成的电场。不仅从理论上获得了有关的计算公式，而且用Matlab软件画出了详实的图表。     

用于抗闭锁的辐射敏感开关

介绍了一种用于抗闭锁的辐射敏感开关.设计的辐射敏感开关在"闪光I"瞬时辐射模拟源上进行了实验考核.实验结果表明,该辐射敏感开关能够成功驱动超大规模集成电路,达到抗闭锁设计目的.     

一种宽频带放大器抗中子加固设计的计算机模拟

半导体宽频带放大器受中子辐照后，由于晶体管电流放大倍数减小而导致电路放大能力下降。本文利用变容二极管受中子辐照后其偏置电容要减小的特性。对一种宽频带放大器电路进行了抗中子加固设计。计算机模拟结果表明，经加固的宽频带放大器在达到１．３５×１０＾１４ｎ／ｃｍ＾２中子注量时，其放大能力也不会衰减。相对未加固电路，抗中子能力提高了许多。     

伪闭锁路径法的应用

在研究体硅CMOS器件的闭锁窗口现象时,发现了一种新的抗闭锁方法———伪闭锁路径法。文章介绍了这种方法的基本原理,开发了一种抗闭锁电路实例。运用计算机仿真分析技术开发的抗闭锁电路,可以实现体硅CMOS器件的闭锁抑制。“闪光I”瞬时辐照试验表明,该抗闭锁电路的触发阈值剂量率很低,只有1.3×104Gy(Si)/s,能够成功抑制单片机系统的辐射感应闭锁。