任意磁化方向下磁等离子体电磁散射分析

基于电流密度拉普拉斯变换FDTD(CDLT-FDTD)方法,计算并验证了一维情况下的法拉第旋转效应、三维情况下磁化等离子体球的后向雷达散射截面(RCS),与其他方法计算结果一致.通过该方法计算并分析了任意磁化方向下磁等离子体涂敷准火箭模型的后向RCS的变化情况,计算结果表明磁化等离子体能有效减小目标的RCS.     

基于金属电极和有机半导体层的制备工艺对有机薄膜晶体管性能的研究

基于聚合物绝缘材料和半导体材料,采用溶液法旋涂工艺制作了有机薄膜晶体管(OTFT),通过不同方法制备有机半导体层、栅极和漏极,以提高有机薄膜晶体管的器件性能.结果表明,有机半导体层是否图形化以及不同金属电极的制备工艺对器件的接触电阻影响明显.有机半导体层图形化后,器件的开关比有较大的提升.采用lift-off工艺,先在聚合物绝缘层材料上对光刻胶图形化,然后利用真空蒸镀法将金属电极蒸镀到绝缘层材料上,最后将器件浸泡在70℃的NMP溶液中约30 min,接触电阻约为4.8×107 Ω;采用湿刻工艺对蒸镀在绝缘层材料上的金属电极进行处理,接触电阻有明显的下降,约为3.6×106 Ω.     

面向有机薄膜晶体管的紫外/红外光退火的溶液法氧化锆薄膜性能研究

首先引入新型油酸配位剂,解决已有溶液法成膜较差的问题,接着引入紫外/红外双光源退火工艺,制备了氧化锆薄膜。与传统的热退火工艺相比,双光源退火能够在较低温度下实现锆盐的分解、还原、氧化,形成高质量氧化锆薄膜。采用紫外分光光度计、原子力显微镜和X射线光电子能谱仪等对制备的氧化锆薄膜进行了表征对比,进而分析了成膜的物理机理。结果表明:所用方法成功实现了低温条件下(<120℃)高质量氧化锆薄膜的制备,薄膜的光学带隙约为5.66 e V,相对介电常数约为22.6,漏电流密度小于10-9 A/cm2@4 MV/cm,表面粗糙度为0.28 nm。最后,基于该氧化锆薄膜绝缘层制备出了低驱动电压的稠合噻吩-吡咯并吡咯二酮聚合物薄膜晶体管,其迁移率为0.50 cm2/(V·s),阈值电压为-0.47 V,电流开关比3.6×107,亚阈值摆幅为0.16 V/dec。     

基于有机硅栅绝缘层的制备工艺对OTFT性能的影响

基于聚合物绝缘材料和半导体材料,采用溶液法旋涂工艺制作了有机薄膜晶体管(OTFT),通过尝试不同旋涂速度、表面预处理、退火温度等条件来优化聚合物绝缘材料的制备工艺参数,获得了良好的绝缘性的聚合物绝缘材料和器件特性。结果表明,绝缘层旋涂速度过快、表面用氧等离子体处理时间过长和退火温度过低都会降低有机栅极绝缘层(OGI)的绝缘性和OTFT的器件特性。采用硅氧烷材料作为聚合物栅极绝缘层,其溶液由硅氧烷单体和溶剂加丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)混合而成。OGI的旋涂速度为1 200r/min,退火温度为140℃,在旋涂有机半导体材料之前,需在退火之后的硅氧烷表面进行短暂的氧离子灰化反应。得到的有机薄膜晶体管迁移率约为0.4cm2·V-1·s-1,亚阈值摆幅降至约1.2V/dec,开关比大于104,并且当外加电场为1MV/cm时,漏电流密度低于1.4×10-6 A/cm2(Vds=-40V)。     

电磁波传输时域有限差分方法及仿真

针对电磁散射特性研究问题,根据拉普拉斯变换原理,为提高电磁波传输效率,提出了一种新的分析磁等离子电磁波传输的时域有限差分(FDTD)方法.将磁等离子的电流密度本构方程进行拉普拉斯变换到s域,结合电流密度卷积方法将其逆拉普拉斯变换到时域,得到电流密度关于时间的本构方程.利用上述方法计算出一维磁化等离子体板电磁波的反射系数及其相位.实验证明,计算结果与解析值结果一致.并证明方法的准确性及高效性.     

薄膜晶体管中绝缘层的研究现状与趋势

本文主要介绍了绝缘层在薄膜晶体管中的重要作用,总结了在薄膜晶体管中应用的绝缘层材料种类及其特点,介绍了不同绝缘层的制备工艺,以及各种制备工艺的原理与特点。最后,通过分析近几年有关薄膜晶体管绝缘层的文献,介绍了薄膜晶体管在制备过程中遇到的主要问题及当前的研究热点,并对未来薄膜晶体管中绝缘层的制备工艺和绝缘材料的研究方向进行了展望。     

基于双层界面修饰的高性能底栅底接触有机薄膜晶体管研究

一种兼容的双界面修饰被成功应用于修饰有机薄膜晶体管的底接触电极和绝缘层界面。这种兼容的双界面修饰为首先采用4-FTP修饰银源漏电极进而提高其功函数,然后采用HMDS或者OTS进一步修饰二氧化硅绝缘层界面。结果显示场迁移率得到极大提高,其最优特性高达0.91 cm2V-1s-1。     

溶液法制备环保型高分子聚合物薄膜晶体管

基于一种新型的稠合噻吩-吡咯并吡咯二酮聚合物半导体(PTDPPTFT4),采用溶液法工艺制作了高性能环保型、空穴型有机薄膜晶体管。通过尝试不同的半导体层退火温度及退火时间,优化了有机薄膜晶体管的性能。当采用对二甲苯溶剂,退火温度为190℃,退火时间为60min时,迁移率为2.1cm2·V-1·s-1,电流开关比大于106。通过X射线掠入射角衍射法测试,得到高温退火后聚合物薄膜的结构特点,进而揭示了退火条件改变后,薄膜晶体管拥有高迁移率的原因。     

一种基于结构的三维模型检索方法

内在结构特征作为三维模型的一个重要特征,从逻辑上代表了模型的形状特征。通过计算不同三维模型的表面点信息,提取出三维模型的骨骼信息作为特征值,并与需要查询的目标的结构特征进行匹配比较,最终得到查询结果。不同于常用的基于表面特征的三维模型检索方法,该文采用一种体素化三维模型、提取骨骼得到结构特征,通过图编辑距离匹配特征值得到检索结果的三维模型检索方法。