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采用射频磁控溅射法, 在热氧化p型硅基片上制备了双沟道层非晶氧化铟锌(a-IZO)和氮掺杂氧化铟锌(a-IZON)薄膜晶体管(TFTs), 并研究了双沟道层对器件电学性能和温度稳定性的影响。研究发现, a-IZO/IZON双沟道层TFTs具有较高的场效应迁移率, 为23.26 cm2/(V•s), 并且其阈值电压相较于单层a-IZO-TFTs正向偏移。这是由于氮掺杂可以减少沟道层中的氧空位, 抑制载流子浓度, 使器件具有更好的阈值电压。而a-IZO层避免了由于氮掺杂导致的场效应迁移率和开态电流的下降, 提升了器件的电流开关比。从298 K至423 K的器件转移特性曲线中发现, 双沟道层器件相较于单沟道层器件的温度稳定性更佳, 这可归因于a-IZON层的保护作用。氮掺杂可以减少氧在背沟道层表面的吸收/解吸反应, 改善器件的稳定性。 相似文献
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本文介绍了一种低功耗全彩透反射型液晶显示器。该液晶显示器利用高双折射率(Δn)胆甾相液晶(Ch-LC),并在透射区域的顶部设置了一块影像增强反射层(IER)。高双折射率(Δn)胆甾相液晶能够反射宽波段的光而显示白色图像。采用传统的彩色滤光膜方法就可以显示全彩色图像。此外,在透射区顶部的IER为透射光和反射光提供了相似的光路。在任何环境下,透射区与反射区总是显示相同的图像颜色,因而大大提高了全彩色透反射型胆甾相液晶显示器显示图像的质量。 相似文献
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