高效AlxGa_（1—x）As／GaAs太阳电池的研制及辐照效应

用液相外延（ＬＰＥ）技术制备了全面积转换效率为１８．６５％（１．０８ｃｍ２，ＡＭ０，１ｓｕｎ）及１７．３３％（２×２ｃｍ２，ＡＭ０，１ｓｕｎ）的ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ（ｘ＞０．８）太阳电池，１ＭｅＶ电子辐照实验表明，浅结电池的抗辐照能力比深结的强，退火可以恢复辐照损伤．     

高镁石灰石在预分解窑的生产实践

介绍了A公司自备石灰石矿山由于MgO含量高，且质量波动大，在长时间的生产实践中，通过配料方案、工艺操作等调整，实现了窑系统的稳定运转，生产的产品质量满足国家标准。     

原生掺Si砷化镓单晶微缺陷的研究

本文采用TEM和阳极腐蚀法、化学腐蚀法,研究了原生掺Si砷化镓单晶中的微缺陷及其行为;并确定了这些缺陷的性质.结果表明,在掺Si砷化镓晶体中,当其电子浓度n≥3 ×10~(15)cm~(-3)时,微缺陷才出现.从微观完整性言,Si是GaAs的N型掺杂剂中较好的一种.     

高镁石灰石在预分解窑的生产实践

介绍了A公司自备石灰石矿山由于MgO含量高，且质量波动大，在长时间的生产实践中，通过配料方案、工艺操作等调整，实现了窑系统的稳定运转，生产的产品质量满足国家标准。     

掺Te-GaAs单晶微缺陷微沉淀的研究

本文用化学腐蚀、阳极腐蚀法、光学显微镜和透射电子显微镜研究了水平生长的掺Te-GaAs单晶的微缺陷和微沉淀物.获得了微缺陷与位错的相对分布关系,发现这些缺陷及其存在形式与样品的载流子浓度有关.这些微缺陷主要是附有沉淀颗粒的非本征层错和非本征Frank环.并且得到了腐蚀显示的小丘和s坑与透射电子显微镜观察到的缺陷群相对应的关系.     

A1_xGa_（1－x）As／GaAs太阳电池的结构观察和器件性能

运用不同的液相外延（ＬＰＥ）生长工艺，制备了两种结构的ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ太阳电池，并结合透射电子显微镜（ＴＥＭ）等技术分析了外延工艺对器件性能的影响。结果表明，与过冷生长技术相比，回熔工艺对衬底质量的要求不严格，且能形成有利于光生少子被收集的带隙结构。在工艺优化的情况下，我们所获得太阳电池的全面积转换效率在ＡＭ０，１ｓｕｎ条件下为１８．７８％（０．７２ｃｍ２），在ＡＭ１．５，ｌｓｕｎ条件下为２３．１７％。     

极性对重掺GaAs晶体中小晶面效应的影响

本文研究了极性对重掺GaAs晶体中小晶面效应的影响.发现两种小晶面的显著区别.电子探针分析表明:砷小晶面中的Te含量比Ga 小晶面高,As小晶面区和Ga小晶面区的Te含量与本体区Te含量之比分别为3-7和1.3—2.5.而且仅在As 小晶面区边缘观察到小角晶界,但Ga 小晶面区边缘却不出现.用两种小晶面成核性质的差异讨论了这些结果.     

掺Te-GaAs单晶中微缺陷的透射电镜研究

木文主要是利用透射电子显微镜对重掺Te GaAs的微缺陷作了观察,已发现此材料中有五类结构缺陷.用衬度分析技术鉴别层错缺陷属于非本征型的.