Al_xGa_(1-x)As-GaAs多层量子阱结构的流体静压光荧光研究

本文对Al_xGa_(1-x)As-GaAs多层量子阱结构的子带间跃迁能的压力关系做了77K低温下的光荧光光谱研究.实验结果表明,未掺杂的量子阱的非本征发光主要来自缺陷的束缚激子d~ox.d~ox束缚激子态在量子阱中的压力系数(5meV/kbar)与体材料中的压力系数(2.7meV/kbar)的比较表明,在量子阱中深中心发生了浅化.通过对不同子带间跃迁能的压力关系测量给出了GaAs Γ谷相应能量点的压力系数,结果表明Γ谷并不是以同一压力系数移动的刚性球.最后测量了量子阱的发光强度随压力的变化.     

Ga_(1-x)Al_xAs和GaAs_(1-x)P_x混晶的长波长光学声子谱

本文报道Ga_(1-x)Al_xA_o和GaAs_(1-x)P_x混合晶体系统的拉曼光谱的测量结果.证实两种材料都呈现典型的“双模”行为.从拉曼光谱的测量结果得到了长波长光学声子模频随组分的变化关系.在修正的等位移模型的基础上,提出一种简化模型:忽略次邻力的作用,仅考虑近邻力和极化场的作用,并假设近邻力常数随组分线性变化.没有任何调节参数,计算了长波长光学声子模频的组分关系.计算结果和实验符合较好.     

掺氧液相外延GaAs的拉曼光谱

本文报道了掺氧液相外延GaAs材料的拉曼光谱测量结果.观测到体内晶格振动的LO与等离子激元的耦合模L_+和L_-以及表面耗尽层的LO,2TO和2LO.在2.7 ×10~(12)cm~(-3)-5.6 × 10~(12)cm~(-3)的电子浓度范围内,实验结果与理论计算结果是一致的.     

在Ga_xAl_(1-x)As和Ga_xAl_(1-x)P混合晶体中长波长光学声子谱

实验上一般用喇曼光谱和红外反射谱两种方法研究混合晶体材料的长波长光学声子谱,但红外反射谱的结果分析在一定程度上依赖于分析方法并利用调节参数。而喇曼光谱的结果直接给出了长波长光学声子模的频率,带宽和强度。我们测量了不同组份的Ga_xAl_(1-x)P和Ga_xAl_(1-x)As混合晶体材料的喇曼光谱。对Ga_xAl_(1-x)As,我们着重补充富AlAs(x≤0.5)材料的测量结果;对Ga_xAl_(1-x)P,我们着重讨论     

静压下GaP的拉曼散射

测量了室温和77K下0-70kb之间GaP的一级拉曼散射谱.根据测得的TO和LO声子的压力系数计算了它们的模式Gr(u|¨)neisen参数.得到室温下γ_(TO)和γ_(LO)值分别为1.05和0.92;低温值分别为1.01和0.86.     

氯化和氢化的无定形硅的拉曼谱和红外谱

本文报道氯化和氢化的无定形硅(a-Si:H:Cl)样品的拉曼谱和红外谱的测量结果.样品是在H_2和SiCl_4混合气体中用辉光放电方法淀积在晶体硅(c-Si)衬底上的.实验上观察到无序激活的诸声子模式和氢感应的各Si-H 键的振动带.此外,还观察到 Si-Cl键和Si-O 键的振动带.我们识别,在600cm~(-1)处的峰是SiCl_2键的反对称的拉伸振动;540cm~(-1)处的峰是SiCl键的拉伸振动和SiCl_2键的对称拉伸振动模式的叠加.在795cm~(-1)处的峰与氧的沾污有关,与氯的引入无关.     

α-Si∶H∶Cl膜中的Si-Cl键

我们测量了不同条件下生长的α-Si∶H∶Cl材料的喇曼光谱和红外光谱。通过比较,进一步而且第一次用喇曼光谱证实了Si-Cl键振动带,并给出了其具体的识别,讨论了Si-Cl键的形成与样品制备条件的关系。α-Si∶H∶Cl样品是用辉光放电方法在H_2+SiH_4+SiCl_4混合气体中淀积在单晶硅衬底上的。膜厚1～3μm,典型的氯含量约3～7%。