一种新型氮化硅氢离子敏器件及其特性

新型氮化硅氢离子敏器件采用ＰＥＣＶＤ法淀积ＳｉＮｘＨｙ膜同时作敏感膜与二次钝化保护膜。改善了器件的密封性能；敏感灵敏度β＝５６￣６０ｍＶ／ｐＨ，比用ＬＰＣＶＤ法淀积的Ｓｉ３Ｎ４膜提高１４％，β的线性度有明显改善；响应时间也缩短一倍。     

MNOS晶体管的存储特性及其测量方法

本文介绍了MNOS晶体管的存储特性,包括开关滞后特性、写擦特性、存储电荷保留特性和耐久性.提出了测量这些特性的一种有效方法,并给出了研制中的MNOS晶体管的测量结果.     

pH—ISFET输出时漂特性的研究

本文对ｐＨ－ＩＳＦＥＴ恒流输出时漂特性进行了一系列实验研究，获得时漂随器件浸泡时间的变化规律，指出造成时漂的原因之一，是敏感膜水化层带有负电荷，使器件出现附加阈值电压△ＶＴ（ｔ），而水化层厚度随浸泡时间而增加，造成△ＶＴ（ｔ）的正向时漂，提出了器件阈值电压时漂的初步物理解释。     

pH－ISFET 输出时漂特性的研究

本文对ｐＨ－ＩＳＦＥＴ恒流输出时漂特性进行了一系列实验研究，获得时漂随器件浸泡时间的变化规律，指出造成时漂的原因之一，是敏感膜水化层带有负电荷，使器件出现附加阈值电压上ΔＶＴ（ｔ），而水化层厚度随浸泡时间而增加，造成ΔＶＴ（ｔ）的正向时漂．提出了器件阈值电压时漂的初步物理解释．     

十八酸质子交换铌酸锂光波导的性能及其退火性能的研究

报道了采用十八酸作为质子源制作的铌酸锂光波导的性能及其退火对波导性能的影响，给出了退火前后波导层中非常光有效折射率的剖面分布，得出了质子交换的扩散参数和波导层的表面非常光折射率的增量．给出了波导层的表面非常光折射率的增量和扩散深度的增量与退火时间的指数关系．