强脉冲γ线辐射对压电陶瓷材料性能的影响

加速度压电传感器是反应堆内常用的振动测量器件,其核心部件是压电陶瓷材料。由于在强核辐射环境下,中子和γ线分别于压电陶瓷内的原子核和核外电子发生相互作用,发生微观损伤,此损伤经由分子尺度、介观尺度直至会表现为宏观性能（包括材料的压电性能及表观形貌信息等）的变化,将影响器件的性能。长时间、高剂量率γ线辐照对压电陶瓷材料性能变化已有研究,然而短时间、高剂量率γ线辐照对压电陶瓷材料性能变化的研究较少。该文在辐射装置上进行压电陶瓷材料的高剂量率γ线辐照,随后对材料辐照前、后的压电性能、表观形貌等信息进行实验测试,通过测试结果分析了高剂量率γ线辐照对压电陶瓷材料性能的影响。     

关于北京后海水体光照强度及沉水植物光补偿深度的研究

利用沉水植物治理水体污染是水环境恢复的重要措施之一。本文针对在北京市后海两次种植沉水植物而未获成功的状况，利用实测资料，建立了光照强度与水深、光补偿深度与透明度的关系模型，研究了水深与光补偿深度的关系。结论为：（1）光照强度与水深的关系为It=Ioe^-at，相关关系显著；（2）光补偿深度与透明度呈显著线性相关；（3）水体深度大于光补偿深度是造成沉水植物死亡的重要原因。