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红外测量技术在MOCVD中的应用 总被引：1，自引：0，他引：1
简要说明了红外辐射测量技术的工作原理与理论基础以及红外测量的特点.MOCVD硅片外延生长过程中反射率是实时变化的,但传统红外测量方法无法实现反射率的实时测量,因此造成较大的测量误差,无法准确反应外延片的表面温度,同时无法实现对生长速率的在位测量.德国AIXTRON公司的MOCVD测量系统中加入了由脉冲信号控制的LED红外发光器件,实现了温度与反射率、生长速率与膜厚的在位实时测量,从而达到对温度和膜厚的精确控制,取得良好的实验效果. 相似文献
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简要分析半导体设备中干扰产生的原因、危害及一般抗干扰的原则;从干扰形成的三要素入手,重点介绍半导体设备设计、制造及维修中一些行之有效的抗干扰的方法。 相似文献
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提出了贝叶斯网络技术在故障诊断中的一种应用,介绍了基于贝叶斯网络的故障诊断技术的基本概念和原理,分析了故障节点和维修节点之间相互作用的关系.应用GeNIe决策系统软件,以PECVD淀积台的真空系统为例,讲述了贝叶斯网络在半导体工艺设备故障诊断中的应用. 相似文献
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