Si（111）-(3×3)R30°-Ga表面原子结构

利用自动张量低能电子衍射(ATLEED)定量地研究Si（111）-（3×3）R30°-Ga重构表面的原子结构．证实了Ga原子吸附在T4位即第二层Si原子所对的空位上,同时给出了表面最顶层7个原子层的详细坐标．可靠性因子RVHT＝0.143表明理论计算和实验符合得非常好．     

自动张量低能电子衍射对GaAs(-1-1-1)-(2×2)表面结构的研究

本文通过对ＧａＡｓ（１１１）－（２×２）表面低能电子衍射（ＬＥＥＤ）Ｉ－Ｖ曲线的分析，首次定量地给出了该表面的复杂结构．结构的主要特征是Ａｓ三聚体单元吸附在表面Ｔ４位置并与下面的Ａｓ原子相键接，且表面存在较大的表面弛豫．对１０个非等价衍射束理论和实验强度曲线之间的比较得到很好的结果．     

总能最小化方法研究GaAs()(2×2)重构表面

本文采用赝势近似方法和密度泛函理论对GaAs(1 1 1 ) (2× 2 )表面重构进行总能计算 ,比较不同结构模型的结果表明As三聚体吸附模型非常有利于降低表面极性从而形成具有最小能量的稳定表面重构。     

Si（111）—（√3×√3）R30°—Ga表面原子结构

利用自动张量低能电子衍射(ATLEED)定量地研究Si（111）-（3×3）R30°-Ga重构表面的原子结构．证实了Ga原子吸附在T4位即第二层Si原子所对的空位上，同时给出了表面最顶层7个原子层的详细坐标．可靠性因子RVHT＝0.143表明理论计算和实验符合得非常好．     

自动张量低能电子衍射对GaAs()-(2×2)表面结构的研究

本文通过对ＧａＡｓ（１１１）－（２×２）表面低能电子衍射（ＬＥＥＤ）Ｉ－Ｖ曲线的分析，首次定量地给出了该表面的复杂结构．结构的主要特征是Ａｓ三聚体单元吸附在表面Ｔ４位置并与下面的Ａｓ原子相键接，且表面存在较大的表面弛豫．对１０个非等价衍射束理论和实验强度曲线之间的比较得到很好的结果．     

Si(111)-(3~(1/2)×3~(1/2))R30°-Ga表面原子结构

利用自动张量低能电子衍射 (ATL EED)定量地研究 Si(111) - (3× 3) R30°- Ga重构表面的原子结构 .证实了 Ga原子吸附在 T4位即第二层 Si原子所对的空位上 ,同时给出了表面最顶层 7个原子层的详细坐标 .可靠性因子 RVHT=0 .143表明理论计算和实验符合得非常好 .