考虑源扰动效应的高阶蒙特卡罗微扰研究

微扰计算可用于估计由特定反应堆参数扰动引起的有效增殖因子的变化,同时是反应堆敏感性分析及不确定性分析的基础。传统蒙特卡罗(蒙卡)微扰计算方法扰动阶数低,不易于向高阶推广,且由于没有考虑系统扰动引起的源扰动效应,计算误差较大。为了克服传统方法的缺点,提高蒙卡微扰计算的精度,对考虑源扰动效应的高阶蒙卡微扰方法进行研究。数值计算结果说明:源扰动效应在蒙卡微扰计算中起着重要的作用,不考虑源扰动效应会带来较大的计算误差;随着计算阶数的增加,微扰计算的结果更加精确。     

PIN光敏二极管X射线探测器的性能与应用研究

介绍了PIN型光敏二极管和电荷灵敏前放组成的X射线探测器的性能和测量结果，并与CdZnTe探测器的能谱测量结果进行了比较，还研究了温度对光敏二极管能量分辨率的影响，25℃时，光敏二极管探测器对241Am的59．5keV峰的能量分辨率为7．6％，冷却到0℃后达到4．7％。     

基于太赫兹气体激光器的连续波成像系统性能分析

实现了基于光泵浦远红外气体激光器和高莱管探测器的连续波太赫兹成像.从太赫兹光学器件的选择和配置角度讨论了成像系统的设计和搭建流程.详细测试了系统在信噪比、空间分辨率、探测器响应和成像速度方面的性能指标.利用该系统采集了一系列样品的太赫兹透射图像,实验结果验证了系统的成像效果,揭示出太赫兹成像技术在安全检查和质量控制方面...     

硅PIN光敏二极管探测X、γ射线的性能及应用

介绍了硅PIN光敏二极管和电荷灵敏前放组成的X射线探测器和配合CsI(Tl)晶体构成的γ射线探测器的性能和测量结果,同时研究了光敏二极管探测器能量分辨率的温度特性。测量X射线时,在-10℃下对241Am的59.5keV射线的能量分辨率为4.8%;用PIN光敏二极管配合10mm×10mm×10mm的CsI(Tl)晶体测量γ射线时,在20℃下对137Cs0.662MeVγ射线的能量分辨率为9.9%,60Co的1.332MeVγ射线的能量分辨率为6.4%,-10℃下的能量分辨率分别为8.7%和6.3%。     

基于微扰计算的蒙特卡罗临界搜索方法研究

基于微扰计算,提出一种新的蒙特卡罗临界搜索方法。该方法仅需要对初始系统进行一次临界计算,利用临界计算结果及微扰计算结果,对有效增殖因子变化曲线进行估计,并以此为基础得到临界搜索的结果。计算结果表明,该方法可有效、准确地对临界搜索问题进行计算,并有效地克服了传统方法的不足。     

用Monte Carlo方法模拟BEPC极化仪行为

利用偏振激光淆高能电子束上的Ｃｏｍｐｔｏｎ散射来测量北京正负电子对撞机（ＢＥＰＣ）电子束的横向极化度。介绍了用Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ方法模拟ＢＥＰＣ极化仪行为的工作，并给了了模拟结果。