退火条件对射频磁控溅射法制备YIG薄膜性能的影响

本文采用射频磁控溅射法在硅基片上沉积YIG薄膜,主要研究了退火条件对YIG薄膜性能的影响。研究结果表明在750oC退火4小时制备的薄膜性能最好,其饱和磁化强度可达到185.9emu/cm3,远大于YIG块材的Ms(139emu/cm3)。此外,其磁性与Fe2+相关。     

基于CSRR的带通滤波器小型化设计

介绍了一种新型的互补开环谐振器(Complementary Split Ring Resonators,CSRR),用此新型谐振器和1/4波长传输线变换器制作了波导带通滤波器.在此基础上为了使滤波器更小型化,设计了挡板结构,改进了滤波器的1/4波长传输线变换器.通过对两种结构的仿真比较得出,新型结构的滤波器在满足设计需...     

PCIE-UART多端口控制器芯片的设计

自主研发了一款PCIE-UART多端口控制器芯片。首先,采用独立的256 Bytes TX/RX FIFO设计了单通道PCIE-UART控制器,实现了硬件流控、软件流控功能,其PCIE接口支持PCIE2.0,UART接口支持RS232/485/422;然后,将8路串口的TX/RX FIFO合并在一起,通过同步时分复用技术对每路串口的TX/RX FIFO进行读写操作,实现了数据的收发,并增加定时/计数器和16路MPIO功能;最后,在FPGA开发板上验证了芯片的功能和性能,并采用55 nm制程工艺和QFP208封装形式完成了设计芯片的制备。测试结果表明,研发的芯片达到工业自动化系统集成等领域对串口的性能要求。     

一种高性能硬件加密引擎阵列架构

该文提出一种高性能硬件加密引擎阵列架构,为大数据应用提供了先进的安全解决方案。该模块架构包括一个高速接口、一个中央管理和监视模块(CMMM)、一组多通道驱动加密引擎阵列,其中CMMM将任务分配给加密引擎,经由专用算法处理后再将数据传回主机。由于接口吞吐量和加密引擎阵列规模会限制模块性能,针对PCIe高速接口,采用MMC/eMMC总线连接构建阵列,发现更多加密引擎集成到系统后,模块性能将会得到提升。为验证该架构,使用55 nm制程工艺完成了一个PCIe Gen2×4接口的ASIC加密卡,测试结果显示其平均吞吐量高达419.23 MB。     

Co掺杂的ZnO单晶薄膜的分子束外延及其室温铁磁性

研究了Co掺杂的ZnO单晶薄膜的分子束外延、结构、光学和磁学性质.利用分子束外延技术,在蓝宝石(0001)衬底上外延得到Co掺杂的Zn1-xCoxO(0≤x≤0.12)单晶薄膜.光透射谱和原位的X光电子能谱显示Co离子代替了ZnO晶格中部分Zn的位置.Zn1-xCoxO单晶薄膜具有内禀的铁磁性,并且居里温度高于室温.样品的铁磁性随着Co掺杂量x(x≤0.12)的增加而单调增大.     

氧气压强对Si基片上沉积YIG薄膜微观结构和磁性的影响

本文研究了氧气压强对用脉冲激光沉积技术(PLD)在Si(100)基片上制备的YIG薄膜性能的影响。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、震动样品磁强计(VSM)、铁磁共振仪(FMR)等检测了薄膜微观性能及磁性。研究发现:(1)在0.3Pa和1Pa下制备的YIG薄膜中没有杂相,而在4Pa和16Pa的薄膜中出现了YIP相;(2)薄膜的晶粒尺寸随氧压增大而减小;(3)在1Pa下制备得到的薄膜共振线宽最小,为91Oe;(4)薄膜饱和磁化强度(Ms)随氧压的增加而降低,1Pa下得到的薄膜的Ms为138Oe,最接近理论值。     

Co掺杂的ZnO单晶薄膜的分子束外延及其室温铁磁性

研究了Co掺杂的ZnO单晶薄膜的分子束外延、结构、光学和磁学性质.利用分子束外延技术,在蓝宝石(0001)衬底上外延得到Co掺杂的Zn1-xCoxO(0≤x≤0.12)单晶薄膜.光透射谱和原位的X光电子能谱显示Co离子代替了ZnO晶格中部分Zn的位置.Zn1-xCoxO单晶薄膜具有内禀的铁磁性,并且居里温度高于室温.样品的铁磁性随着Co掺杂量x(x≤0.12)的增加而单调增大.