用PCVD法制备掺F低OH根多模梯度光纤的研究

本文叙述在PCVD法中首次应用CCl_2F_2作氟源,制备低OH~-低损耗多模梯度光纤的研究结果。在连续制备的42km光纤中最低衰减系数已达到2.3dB/km(0.85μm),0.41dB/km(1.3μm)和0.21dB/km(1.55μm),在1.39μm处OH根附加衰减系数最低已接近1dB/km。     

PCVD法用的微波等离子体重入式谐振腔的设计

本文在Hansen和Raptis等人研究的基础上,提出了适用于PCVD法的重入式等离子体谐振腔的工程设计法。用这种方法研制的腔体已制备出低衰耗光纤。     

PCVD法制备低损耗单模光纤

<正> 武汉邮电科学研究院在PCVD光纤熔炼系统的研制中取得了阶段性成果,制备出了低损耗单模光纤。研制的PCVD系统由熔炼车床、微波系统、流量柜、控制部分和真空部分等组成。微波源采用2 450MHz的连续波磁控管,最大功率为1.5kW,且连续可调。采用的原料为SiCl_4、GeCl_4、F-12和O_2,其纯度与MCVD法时相同。石英管直径为20×2mm。一根预制棒可拉3 km左右光纤。     

PCVD法数据光纤的研制

本文报道了ＰＣＶＤ法数据光纤的研制，包括光纤设计、工艺流程及关键工艺问题，还给出了该数据光纤产品性能的统计结果。     

耐瞬态核辐照光纤的制备和测试

本文叙述用ＰＣＶＤ法制备的耐瞬态核辐照光纤。光纤包层为Ｆ掺杂，纯ＳｉＯ２纤芯，低ＯＨ－根含量，经核辐照后的实验结果表明，光纤瞬态峰值感应损耗最低为３．４ｄＢ／ｍ·ｋｒａｄ。文中还讨论了制备中的几个问题。     

PCVD法的发展现状和前景

本文综述光纤制造工艺中的PCVD法的原理、发展过程和现状。其中主要叙述荷兰Philips公司发展的微波低压PCVD法。并对其前景作出肯定的评价。对其它的等离子体工艺也作一简介。     

在PCVD工艺中氟对光纤损耗的影响

本文叙述在PCVD法中应用CCl_2F_2作氟源,在制备低OHˉ、低损耗长波长多模梯度光纤的研究结果。 CCl_2F_2容易获得,价格便宜,效果优异,掺F多模梯度光纤在1.39μm的OHˉ附加衰耗已接近1dB/km。并获得了在1.30μm和1.55μm衰耗分别为0.41dB/km和0.21dB/km的超低损耗多模涕度光纤。掺氟单模光纤在1.3μm的衰耗已达0.9dB/km。     

用微波等离子体激活化学气相沉积法制备低衰耗光导纤维

本文叙述微波等离子体激活化学气相沉积法的基本原理和研制的设备的主要特点。同时叙述用这种方法制备光纤预制件拉制的光导纤维的基本数据。目前制成的多模阶跃型光导纤维衰耗已达5dB/km(在0.85μm波长),最低衰耗为2.84dB/km(在1.07μm波长)。原料的沉积效率已超过90％。     

高效率PCVD法大预制棒制造技术研究

本文叙述高效率PCVD法大预制棒制造技术研究的结果,包括设备的特点,1g/min高沉积速率的研究和大预制棒的制备方法。每棒拉制的光纤长度已超过20 km,最低损耗为0.36 dB/km(1.31μm波长)和0.19dB/km(1.55μm波长)。