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<正> 近几年来,在绝缘体上进行外延硅层生长得到了很大的重视.其中以蓝宝石和尖晶石为基体的外延硅层研究得较多,因为这种外延层较薄(典型值~1μm),基体绝缘性好,耐辐照性能强;用这样的材料做MOS集成电路,具有高频性能好、耐辐照的优点,特别适用于宇航环境.但这种外延层(称异质外延)不容易做得好,这种外延层中往往存在着大量堆垛缺陷和孪晶薄层.在实践中,人们常需采用各种有效的实验手段来测试外延层的质量,以研究工艺过程中有关条件对质量的影响,从而选择最佳的工艺条件. 相似文献
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热退火γ-Al2O3/Si异质结构薄膜质量改进 总被引:1,自引:0,他引:1
采用高真空MOCVD外延技术,利用TMA(Al(CH3)3)和O2作为反应源,在Si(100)衬底上外延生长γ-Al2O3绝缘膜形成γ-Al2O3/Si异质结构材料.同时,引入外延后退火工艺以便改善γ-Al2O3薄膜的晶体质量及电学性能.测试结果表明,通过在O2常压下的退火工艺可以有效地消除γ-Al2O3外延层的残余热应力及孪晶缺陷,改善外延层的晶体质量,同时可以提高MOS电容的抗击穿能力,降低漏电电流. 相似文献
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对NTD氢区熔单晶硅进行了不同温度下等时退火,采用Hall电学方法测量了电阻率、迁移率随退火温度的变化规律.利用红外吸收技术测量了单晶硅氢区熔退火前后及NTD氢区熔单晶硅不同退火温度下与氢、辐照缺陷有关的红外振动吸收峰变化,对辐照缺陷的退火行为进行了探讨.实验证实NTD氢区熔单晶硅在150~650℃范围内等时退火具有显著特点:在500℃下退火,出现电阻率极小值,即出现浓度很高的过量浅施主;P型向N型转变温度为400℃,迁移率恢复温度为500℃,载流子恢复温度为600℃,均明显低于NTD氩区熔单晶硅转型温度及迁移率和载流子恢复温度,这与氢积极参与辐照缺陷相互作用直接相关. 相似文献
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随着大规模和超大规模集成电路特征尺寸向亚微米、深亚微米发展,下一代集成电路对硅片的表面晶体完整性和电学性能提出了更高的要求.与含有高密度晶体原生缺陷的硅抛光片相比,硅外延片一般能满足这些要求.该文报道了应用于先进集成电路的150mm P/P+CMOS硅外延片研究进展.在PE2061硅外延炉上进行了P/P+硅外延生长.外延片特征参数,如外延层厚度、电阻率均匀性,过渡区宽度及少子产生寿命进行了详细表征.研究表明:150mm P/P+CMOS硅外延片能够满足先进集成电路对材料更高要求, 相似文献
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本文首次报道了一种新颖的重掺硅中间隙氧含量测量技术,通过硅片减薄并采用低温红外透射测量,明显降低了重掺硅自由载流子吸收的严重干扰,提高了红外吸收峰信噪比,在1136cm-1附近得到了明显的Si-O键红外吸收峰,从而可以准确地测量重掺硅间隙氧含量.实验结果表明:该测量方法具有很高的测量准确度和更宽泛的电阻率应用范围.对于重掺n型硅,其测量应用范围可扩展至电阻率1e-2Ω·cm(自由载流子浓度高达4e18cm-3). 相似文献
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Ramping热退火直拉重掺锑硅衬底片的增强氧沉淀 总被引:1,自引:0,他引:1
本文报道了一种改进本征吸杂技术——低温短时热退火工艺,以增强本征吸杂效果.在本征吸杂工艺的低温热退火中,用连续的线性缓慢升温(Ramping)退火替代常规的长时间低温恒温退火,应用于直拉(CZ)重掺N型硅衬底片,明显增加了氧沉淀等体微缺陷密度,这些高密度氧沉淀物在随后IC器件热工艺中继续长大,成为稳定的高效本征吸杂中心.从经典的成核沉淀理论,讨论了Ramping热退火重掺硅衬底片增强氧沉淀机理. 相似文献
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