Si:Pd深能级的研究

用三种钯源对p~+nn~+和n~+pp~+硅二极管进行了扩散掺杂,井用深能级电容瞬态谱仪(DLTS)对它们作了测量.在适当的工艺条件下,在各类样品中均观察到能量为E_c-0.37eV和E_c-0.62eV两个浓度居统治地位的新的电子陷阱能级.从实验上证明了以上两个能级确是由进入硅点阵中的钯杂质所引起,并确定了它们和文献报道过的Si:Pd 能级间的相互转化关系.由这些能级的产生条件,退火特性以及电学测量结果来看,这两个新能级应分别与硅中间隙钯所引起的两种不同荷电态的施主中心相对应.     

深中心行为图形表示方法的探讨

利用几个特征能量参数,导出了表征SRH中心四个率参量相对比率大小的一组简单的关系式.这些关系能借助于几幅分区图形来形象地表示.以估算p-n结内深中心有效发射范围作为实例,说明了利用这样的图形来解决一些实际问题是很方便的.对早先已有的图形表示方法来说,可视为是一种发展和补充.     

非晶态硅氯氢薄膜的光电导

<正> 目前,存在于非晶硅材料中的一个重要问题是其稳定性,氢虽能起饱和悬键或使无规网络软化的作用而使隙态密度降低,但由于它对温度及光照等因素敏感而稳定性差.解决的途径之一是用卤族元素代替氢.a-Si∶F∶H就具有较好的热稳定性.SiCl_4是比SiF_4和SiH_4都便宜而广泛应用于半导体工业中的物质,采用SiCl_4作为原材料的a-Si∶Cl∶H的研究更具有实际意义.我们曾在早期的文章中发表了对a-Si∶Cl∶H的初步研究结果,本文报道我们对a-Si∶Cl∶H的光电导的研究结果.     

非晶硅隙态密度的场效应测量分析方法

本文通过引入一个“电场函数”使非晶硅隙态密度的场效应测量的分析大大简化,并确立了从实验测得的电流-电压曲线极小值来确定电子电导与空穴电导的比值的方法,使对场效应测量结果的分析更加方便和可靠.还从Goodman等所采用的四条隙态密度分布曲线出发,计算出各有关参量,证明了不同态密度分布并不能与同一条电流-电压曲线拟合.这说明,如果采用合理的分析方法,是可以根据场效应测量结果来确定隙态密度分布的.