AMS7001随机存储器

AMS7001是一种新颖而使用方便的MOS随机存储器(RAM)。这种存储器采用MOS器件与电荷泵器件结合在一起建立和保持所存储的状态,所以使用这种存储元件时和静态的一样,不需要周期性再生。存储器内部含有几种与TTL电平相容的电路。地址缓冲寄存器、数据输入缓冲寄存器和读出放大器都是采用触发器电路,因而能高速操作。由于采用了几种省能器电路,限制了电路中的功耗。外部时钟信号中只有芯选信号(CS)需要MOS电平,而其它时钟输入全是TTL电平。     

存储器的 N~(3/2)次型测试图案

考虑大容量存储器测试的严格性和测试时间的可行性,对16K位以上的存储器用N~(8/2)次型测试图案是非常必要的。本文结合某测试系统,分析了实现N~(8/2)型图案的可行性,给出了三种移动对角线走步的程序流程。其中指计法可得到最少的空操作。也给出了行列走步测试程序流程。由于LSI8测试系统结构的限制,不能方便地实现行列乒乓和行列跳步写恢复图案。给出了列跳步的程序流程,但是有约N~(8/2)次空操作。行乒乓只能通过CPU干预将行、列地址互换的办法实现。并给出了列跳步写恢复的程序流程。由于地址编码器位数的限制,LSI8测试系统不能实现邻位打扰图案。根据LSI8测试系统实现N~(8/2)次型图案的局限性;对存储器图形发生器的要求进行了讨论。     

具有内部定时和低功耗的4096单元单管随机存储器

本文较详细地讨论了单管P-沟道4096单元随机存储器(RAM)。设计上的生要特点是有灵敏的读出-再生放大器,可以允许仅有0.065 Pf的存储电容。为了得到400 ns的取数时间而应用了自举原理,功耗为150 mW。采用了新的快速移位寄存器作为内部定时电路。这个定时电路产生存储器的时钟信号,从而将外部信号减少到只有一个时钟信号和1个芯选信号。芯片尺寸为3.01×4.44 mm~2。     

基于知识（规则）的诊断系统LSTS—Diag的设计与实现

随着集成电路测试系统复杂程度的不断提高,其自身的完整性和正确性变得越来越重要。作者所设计并实现的基于知识(规则)的诊断系统LSTS Diag实现了对大型测试系统LSTS硬件的故障诊断。本文以基于知识(规则)的诊断系统为背景,以LSTS Diag的系统设计方案为主线,论述LSTS Diag诊断系统的诊断策略、知识表示方法、诊断推理的运用,以及LSTS Diag的系统结构和系统设计,并给出有关系统运行的结果。     

半导体MOS器的筛选测试

文中分析了半导体MOS随机存贮器RAM的测试特点和产生失效的原因及类型(软失效和硬失效)。并且分析了易于产生失效的外界条件。以及如何在筛选测试中选择对器件灵敏的测试图型,并指出在高温条件下对器件采用临界定时测试及边界失效曲线的测试方法和优点,以及对器件测试的严格性。     

超高速4K单元NMOS随机存储器(MB 8211)

MOS随机存储器(RAM)作为电子计算机主存储器而大量需要的情况下,近几年来在高速化和高集成化方面部取得了很显著的进展。在高速化方面1K单元/芯片的取数时间为50～100毫微秒,在高集成化方面4K单元/芯片的MOS RAM都已进入了商品化阶段, 现在已有10余家半导体公司出售或者发表了有关4K单元RAM,其中大多数的取数时间是在300～600毫微秒的中低速范围内,目前,主要重点是放在大容量和低价格方面。然而,看来象1K单元MOS存储器那样,4K单元存储器显然也逐渐地向高速化方面前进,作为     

新型晶体管测试仪

本文阐述了新型晶体测略仪的硬件和软件的特点，着重介绍系统的硬件体系结构和高精度的精密测量单元。文章较详细地论述电流增益ＨＦＥ的快速逼近法。     

浅谈大直径人工挖孔扩底灌注桩的设计

大直径人工挖孔扩底灌注桩具有受力明确 ,承载力高 ,施工方便 ,无躁音 ,造价低等优点。近几年 ,在广东省许多地区的多、高层建筑中得到广泛应用。本文根据国家有关规范 (规程 ) ,从挖孔扩底灌注桩的优点、设计计算、构造要求等方面进行探讨     

为测试系统诊断设计并构造规则库和推理机

目前ＶＬＳＩ测试系统日趋复杂，要快速，精确地对它们进行诊断，不得不求助于专家系统，专家知识和解释专家知识并控制诊断进程的机制是专家系统的两大要素，它们又分别被称为规则库和推理机，针对这两大要素，本文阐述以下两方面的问题：（１）设计规则库的结构，（２）设计并构造用于ＶＬＳＩ测试系统诊断的推理机。     

基于产生式系统的C—Tess测试流程检查

产生式系统是一种简单有效的专家系统，由知识库和推理机两部分构成，适于构造简单的应用系统。