Forward gated-diode method for parameter extraction of MOSFETs

The forward gated-diode method is used to extract the dielectric oxide thickness and body doping concentration of MOSFETs,especially when both of the variables are unknown previously.First,the dielectric oxide thickness and the body doping concentration as a function of forward gated-diode peak recombination-generation (R-G) current are derived from the device physics.Then the peak R-G current characteristics of the MOSFETs with different dielectric oxide thicknesses and body doping concentrations are simulated with ISE-Dessis for parameter extraction.The results from the simulation data demonstrate excellent agreement with those extracted from the forward gated-diode method.     

用正向栅控二极管的方法对场效应晶体管的参数提取

本文用正向栅控二极管的方法来提取场效应晶体管的栅氧层厚度和体掺杂浓度,尤其是在这两个变量事先都未知的情况下进行提取。首先,用器件物理推导出了以栅氧层厚度、体掺杂浓度为参数的正向栅控二极管峰值电流。然后用ISE-Dessis模拟了不同栅氧层厚度和体衬底掺杂浓度下的产生复合电流峰值的特性,用于参数提取。模拟数据的结果与正向栅控二极管的方法显示出高度的一致性。     

存内计算芯片研究进展及应用

随着数据快速增长,冯诺依曼架构内存墙成为计算性能进一步提升的关键瓶颈。新型存算一体架构(包括存内计算(IMC)架构与近存计算(NMC)架构),有望打破冯诺依曼架构瓶颈,大幅提高算力和能效。该文介绍了存算一体芯片的发展历程、研究现状以及基于各类存储器介质(如传统存储器DRAM, SRAM和Flash和新型非易失性存储器ReRAM, PCM, MRAM, FeFET等)的存内计算基本原理、优势与面临的问题。然后,以知存科技WTM2101量产芯片为例,重点介绍了存算一体芯片的电路结构与应用现状。最后,分析了存算一体芯片未来的发展前景与面临的挑战。