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本文针对星用功率MOSFET器件JANTXV 2N7261和SR7262V,进行了钴-60 γ射线辐照试验研究.在γ射线辐照过程中,采用JT-1型晶体管特性图示仪和计算机控制的摄像机,实时监测器件电参数随辐照剂量变化的特征,通过试验研究获得了被试器件阈值电压、漏电流和击穿电压随总剂量变化的特征照片和曲线,得出被试器件的抗总剂量水平. 相似文献
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离子火箭的阴极一触持极间形成的低气压下弧光自持放电.伏安特性曲线是负阻曲线.若用稳压电源作触持极电源.有烧坏电源和阴极的危险:如采用稳流电源.则具有自挖作用.能维持弧光自持放电。文章详细介绍了触持极稳流电源的电路原理。对稳流型触持极电源进行了实验.一次电源在±20%范围内波动.电源输出稳定度优于1%。效率达80%.根据阴极性能、气体的种类、密度等情况的变化.选职稳流电源的稳流点.即弧光自持放电的工作点.调整稳流点.只需调整采样电阻.工作可靠. 相似文献
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