适用于VLSI生产的MeV离子注入系统的设计研究

MeV离子注入系统的制造是为了满足VLSI基片加工的需求。本文讨论了机器设计考虑,并对系统和其性能作了评价。     

强流离子注入机的计算机自动控制

我们已经实现了强流离子注入机的计算机全自动化。自动化必须考虑的专门设计包括:简化离子源的研制,简化的束传输控制功能,以及计算机辅助实时反馈剂量测定控制系统。还考虑了一种专门的通用软件结构,对没有经验的操作者的操作进行保护,并可让合格人员进行诊断和维护。 在注入机机架中装配完整的DECLSI—11计算机,对有关EMI控制和要求的电隔离提供了更多的复杂课题。     

兆电子伏离子注入机“RFQ—1000”及其应用

目前,先进的VLSI器件要求提高器件开关速度,提高抗噪音能力,并要求把芯片尺寸减至最小。最近,在VLSI制造领域,兆电子伏(以下简称MeV)离子注入引起了人们极大的注意,因为对于VLSI制造提出的要求,预计它是最可行的解决办法之一。为了实现这种可能性,第一次在离子注入领域中采用了RFQ(射频四极透镜)加速器,并且已经研制成功一台“RFQ—1000”MeV离子注入机。首先,本文将简要地介绍这种注入机研制的基本情况,重点则放在介绍RFQ上。其次是概括性地给出系统结构和特征。接下来是介绍注入机的详细性能,如束流的大小,能量的可变范围,剂量的均匀性,尘粒性能等等。然后,把着眼点放在应用上,简要地评述了MeV离子注入在器件制造中应用的目前状况。最后展望了这种注入机今后在化合物半导体和对材料表面改性方面应用的前景。     

多峰点静磁场浸没式微波离子源的性能

许多应用需要高束流,并且操作带有化学活性气体,这类应用影响了通常离子源中放电电极的寿命和工作要求。尽管研制了专门设计的热灯丝和空心阴极,处在放电区的这些电极仍然限制了离子源和等离子体源的实际用途。因此,研制一种有效的,简易的无电极放电在离子束和等离子体加工工艺中势必引起重要的进展。 最近,我们研制了一种无电极微波离子源和等离子体源。本文讨论了这种离子源的改进措施。这就是围绕放电区重新设计了许多紧密排列稀土磁铁。这些磁铁产生一个封闭的回旋共振多峰点静磁场。文中提供了这一“改良”离子源采用氩气的实验性能。并给出了在各种气体流量和工作压力下引出离子束流与加速电压、放电电子和离子密度等关系的实验测量结果。     

专利文献介绍

本专利介绍的掩模由以下几个部份组成;(a)能通过X射线的材料制成的掩模衬底,(b)能吸收X射线的材料在衬底表面或内部形成的掩模图形,(c)支承掩模衬底后缘的支承环,(d)嵌入掩模衬底网状狭缝中的网状金属薄膜。掩模的制造工艺可分为以下几个工序:(a)在支承板上形成一个能透过X射线的掩模衬底,(b)在     

MBE的需求不断增长

分子束外延不再仅是研究工具,它已日益被用来生产Ⅲ—Ⅴ外延层。MBE系统的用户正寻求增加可靠性、生产量和重复性。     

专利文摘介绍

专利号:美国4184078,发明者:David J.nagel等,申请日期:1978年8月15日.内容提要:本文介绍在真空系统中产生高温等离子体,并从该等离子体中发射出软X射线的X射线曝光方法和手段。X射线穿透掩膜,曝光衬底上的X射线抗蚀剂,在衬底上产生出理想的图象。X射线的能谱为1～5Kev。这种X射线穿过掩膜支持层,在有图形材料的地方,被金吸收,在没有图形的地方被X射线抗蚀剂适当地吸收。由于能量很少会超过5Kev,因此,由X射线引起的衬底损伤也小。