OTFT将成为下一代平板显示核心技术

目前有机薄膜晶体管（OTFT）的综合性能已经达到商用非晶硅水平,其鲜明的低生产成本和高功能优点已显示出巨大的市场潜力和产业化价值。有机薄膜晶体管将很快成为新一代平板显示的核心技术。     

等规聚丙烯DSC熔融双峰的成因

论述了多种产生熔融双峰的情况及原因，对最近研究等规聚丙烯ＤＳＣ熔融双峰的进展进行了评述，最后，介绍了笔者在这一领域的最新研究成果。     

OTFT将成为下一代平板显示核心技术

目前有机薄膜晶体管（OTFT）的综合性能已经达到商用非晶硅水平，其鲜明的低生产成本和高功能优点已显示出巨大的市场潜力和产业化价值。有机薄膜晶体管将很快成为新一代平板显示的核心技术。     

发展容易集成加工的高功能有机薄膜晶体管

描述了近10年来开发容易集成加工的高功能有机薄膜晶体管方面所取得的成就。针对有机薄膜晶体管存在金属、氧化物和有机物三相交汇点这个明显的结构缺陷,以克服高介电绝缘栅漏电问题为基础,综合考虑器件加工的方便性与一致性、界面态和空间电场分布等因素,设计并优化出双绝缘栅和夹心型器件结构。通过引入缓冲层有效地降低了电极与半导体之间的接触电阻,使器件的性能能够满足有源矩阵显示的需要。     

有源层厚度对CuPc-OTFT器件性能的影响

研究了不同厚度有源层的顶电极CuPc-OTFT器件的电学特性。发现器件的性能与有源层厚度有依赖关系，其中，有源层厚度为20nm的器件性能最好。在有源层厚度大于20nm时，有源层厚度的增大不但分去一部分栅电压而且还增大了源、漏电极的接触电阻，从而不利于器件性能的提高。但当有源层厚度小于20nm以后器件的性能开始降低。我们认为当有源层厚度降低到一定程度时，有源层上表面的表面态会使有机材料的隙态浓度增加从而对沟道载流子迁移率产生不良影响以及使器件的阈值电压增大。     

有机薄膜晶体管阈值电压漂移现象的研究

研究了有机薄膜晶体管(Oganic thin film transistor，OTFT)的阈值电压漂移与栅偏置电压和偏置时间的关系、不同栅绝缘膜对OTFT阈值电压漂移的影响以及不同栅绝缘膜MIS结构的C-V特性。结果发现．栅偏置电压引起了OTFT转移特性曲线的平移而场效应迁移率(μFE)和亚阈值陡度(△S)不变；阈值电压漂移的量与偏置时间的对数呈线性关系。还发现阈值电压漂移量与栅绝缘膜绝缘性能有关，绝缘性能好的绝缘膜(如SiO2)器件阈值电压漂移量小．绝缘性能差的绝缘膜(如TaOx)器件阈值电压漂移量大。认为有机晶体管阈值电压漂移是由沟道载流子以直接隧穿方式进入栅绝缘膜内的陷阱造成的。     

锰酸钙晶体结构与催化活性

ABPO_(3-x)型催化剂的完整晶体CaMnO_3是钙钛矿型结构。在催化过程中催化剂晶体发生氧化——还原应用,晶体中首先出现缺氧空位点缺陷。当失氧量很小时(x≤0.5)晶体中的缺陷主要是缺氧空位,当失氧量很大时(x<0.5晶体就会出现线,面甚至体缺陷而部分结体,解体后的微晶仍具有较高的活性,能再氧化形成大块完整晶体。显然催化剂失去氧在失氧量很小时用点缺陷可以很好地解释,但对大量失氧晶体解体用点缺陷来解释这个还原—再氧化过程是不充分的。本文就这一问题进行了高分辨电子显微象研究。     

有机薄膜晶体管支撑平板显示技术进步

目前有机薄膜晶体管（OTFT）的综合性能已经达到商用非晶硅的水平,其低生产成本和高功能等优点已显示出巨大的市场潜力和产业化价值。本文从技术特征、实用化的发展情况和动态特性等方面介绍了有机薄膜晶体管。有机薄膜晶体管将很快成为新一代平板显示的核心技术。