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本文通过对LPCVD生长高温Si_3N_4膜的反应过程和机理进行了详细的分析,并着重讨论了反应源在一定的温度分布、压力和气流条件下,进行化学气相淀积时的各种关系,然后通过正交试验方法,找出最佳的温度分布、压力和气流的工艺条件,获得了质量高、均匀性好的Si_3N_4膜.并达到了国际上同类产品的先进水平.对一年多来在LPCVD生长近四万片的Si_3N_4膜用于双极型器件中,与常压CVD作了对比,Si_3N_4膜的合格率提高了33.2％,生产效率提高了一个数量级以上,对器件的合格率和可靠性有明显的贡献,已取得了显著的经济效益. 相似文献
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