利用Cs2CO3和Cs2CO3:BPhen改善OLED的光电性能

碳酸铯(Cs2CO3)是优秀的电子注入材料,本文通过器件ITO/MoO3(3nm)/NPB(40nm)/C545T:Alq3(99∶1,30nm)/Alq3(30nm)/Cs2CO3(xnm)/Al(100nm)优化了Cs2CO3作为电子注入层(EIL)的厚度。Cs2CO3作为EIL,提高了器件的电子注入能力,使更多的电子得以与空穴在发光层复合发光。实验结果表明,Cs2CO3作为EIL的优化厚度为1.5nm时,对应器件的效率是不含Cs2CO3的3倍以上。在Cs2CO3作为EIL的基础上,研究器件结构为ITO/NPB(40nm)/Alq3(45nm)/Cs2CO3:Bphen(0%,5%,10%,15nm)/Cs2CO3(1.5nm)/Al(100nm)时不同浓度的Cs2CO3掺杂电子传输层Bphen(Cs2CO3:Bphen)对器件性能的影响。结果表明,Cs2CO3掺杂浓度较低时(5%)能进一步改善器件的电子传输和注入能力,进而提高器件的发光效率;而掺杂浓度较高时(10%),由于Cs扩散严重,形成淬灭中心,使得发光效率衰减严重。     

NPB和TPBi作为间隔层调控OLED激子复合区域

以ITO/MoO₃/NPB/Ir(ppy)₃/TPBi/Cs₂CO₃/ Al器件为基础,采用NPB和TPBi作为间隔层(spacer) 制备了器件ITO/MoO₃/NPB/Ir(ppy)₃/NPB(spacer)/TPBi/Cs₂CO₃/Al和ITO/MoO₃/N PB/TPBi(spacer)/Ir(ppy)₃/ TPBi/Cs₂CO₃/Al,并通过调节间隔层厚度、分析器件的电致发光(EL)光谱,研究其对激 子复合区域的调控。实 验结果表明,所有器件的激子复合区域均位于NPB和Ir(ppy)₃,且复合区域随电压的增大 和间隔层的增厚 向NPB移动。NPB(spacer)的厚从0nm增至10nm,色坐标均匀变化, 总变化值Δ(x,y)<(0.02,0.10);而 TPBi(spacer)对应的色坐标变化量Δ(x,y)<(0.04,0.20),厚≤6nm时,光谱变化较小(即调节幅度较小),而 10nm时光谱变化较大。这表明,通过调节间隔层材料或者厚度,就 能简单、方便 地调控激子复合区域, 为不同复合区域发光强度的粗调/微调和白光器件的设计提供依据。