质子辐照制备HgCdTe光电二极管的性能研究

用质子辐照ｐ型碲镉汞材料的方法成功地制备了ｎ－ｏｎ－ｐ型短波与中波光伏器件．其中中波器件的截止波长为６．５ｍｍ,黑体探测率达２．３ｘ１０１０ｃｍＨｚ１／２Ｗ－１,量子效率为２８％,其中Ｒ０Ａ达１５７·ｃＭ２。Ｃ－Ｖ特性研究发现其为突变结。噪声频谱表明在低频（＜３００Ｈｚ）时主要由１／ｆ噪声限制,在中频和高频时主要是白噪声限制。对辐照前后材料和器件的截止波长变化亦作出了初步解释。短波器件的电流电压特性表明器件在室温可承受１５Ｖ的反向偏压。     

紫外辐照对碲镉汞MIS结构复合特性的影响

用光电导衰退法和ＭＩＳ器件的电容－电压特性测量研究了紫外辐照对碲镉汞样品的影响。研究表明：紫外辐照使ＭＩＳ器件的氧化膜／碲镉汞界面固定电荷减少，表面由积累向平带变化；紫外辐照使碲镉汞样品的电阻明显增大，样品的表面复合速度上升，少子体寿命下降．说明紫外辐射不仅对碲镉汞样品的表面有影响，而且在磅镉汞体内也有影响，这些效应可以用碲镉汞表面能带结构的模型来解释。     

离子注入碲镉汞迁移率谱的研究

文章介绍了分别采用厚度较大的样品的较薄的霍耳器件进行了离子注入和迁移率谱的测试。对于离子注入后的样品，迁移率谱给出明显的两个电导率峰，通过分析说明样品经过离子注入产生了高浓度和低迁移率的表面层。迁移率谱是离注入样品的有效的非破坏分析方法之一。     

低能离子束轰击碲镉汞制备pn结电学特性的研究

用低能离子束轰击工艺制备了３－５μｍ及８－１０μｍ碲镉汞ｐｎ结，研究了它们的电流－电压及电容－电压特性，发现该ｐｎ结为缓变结，与通常认为的关于低能离子束轰击ｐ型碲镉汞造成表面转型的机制主要是汞扩散的假说相符合。     

砷离子注入体材料碲汞的二次离子质谱分析

用二次离子质谱（ＳＩＭＳ）分析了低能注放（１５０ｋｅＶ）砷在体材料碲镉汞中的分布和注入砷原子在碲镉汞中的热扩散情况,砷在碲镉汞中的分布表现出复杂的多元扩散机制。在缺陷密度（ＥＰＤ）比较低的碲镉汞材料中,砷扩散的主体符合恒定扩散系数的有限源扩散模型,呈现出浓度随深度的高斯分布。而在缺陷密度比较大的碲镉汞材料中,砷的分布呈多段指数型分布,表面出更复杂的多机制扩散特性。     

用红外反射光谱研究离子束作用后碲镉汞的表面形貌

对经过低能离子束刻蚀前后的碲镉汞材料表面，测量其红外反射光谱，发现在刻蚀时间较短的情况下可以用扩散散射模型很好地解释刻蚀前后光谱的变化，由此方法得到的表面均方根粗糙度与材料和刻蚀条件没有明显的关系，约为６０－１００ｎｍ。这一结果为研究碲镉汞的表面形貌提供了新的手段。