基于0．5μmCMOS工艺的一款新型BiCMOS集成运算放大器设计

为了提高运算放大器的驱动能力,依据现有CMOS集成电路生产线,介绍一款新型BiCMOS集成运算放大电路设计,探讨BiCMOS工艺的特点。在s_Edit中进行“BiCMOS运放设计”电路设计,并对其电路各个器件参数进行调整,包括M0s器件的宽长比和电客电阻的值。完成电路设计后,在Tspice中进行电路的瞬态仿真,插入CMOS,PNP和NPN的工艺库,对电路所需的电源电压和输入信号幅度和频率进行设定调整,最终在W—Edit输出波形图。在MCNC0．5μm工艺平台上完成由MOs、双极型晶体管和电容构成的运算放大器版图设计。根据设计的版图,设计出BiCMOS相应的工艺流程,并提取各光刻工艺的掩模版。