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a-SiC:H/pin势阱结构可见光注入式电致发光(英文)@朱冰$中国科技大学
@陈培力$宁波大学
@白贵儒$宁波大学 相似文献
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本文主要报道我们对InGaAsp/Inp DH结构进行电注入的空间分辨光谱的测量,进一步证实1.3μmDH激光器的950nm光能发光带确实来自InP限制层。采用的样品是1.3μm包含有N-Inp/InGaAsP/P-InP(各层厚度分别为10μm/0.5μm/2μm)的DH激光器。激光器的出光方向通过显微镜物镜,在单色仪狭缝上成放大象,当沿垂直于DH结 相似文献
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对离心泵的汽蚀现象进行了全面分析,针对这些问题提出了改进措施并组织实施改进方案,问题得到解决,并取得很好的经济效益。 相似文献
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在1.3μm InGaAsP/lnP DH激光器发射谱中,我们观测到 0.95μm的短波发射带.实验分析表明这一发射带不是由结偏位引起,也不是有源区中导带到自旋轨道分裂价带的复合发光.当温度从200K到300K变化时,这发光带的峰值随温度的变化与经过自吸收的InP侧向光荧光谱一致.此发光帝的强度与有源区内载流子浓度三次方成正比.这说明此发光带是有源区内俄歇复合产生的高能载流子越过异质结势垒到InP 限制层中的复合发光. 相似文献
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