用Ar气制备C—60的研究

在ｋｒａｔｓｃｈｍｅｒ碳弧法中用Ａｒ代替Ｈｅ制出Ｃ－６０。研究了Ａｒ压力为１．３３－９０．６４ｋＰａ时产的Ｃ－６０碳灰，功率消耗，提取率等的关系，并与用Ｈｅ制Ｃ－６０作了比较。     

碳包Ni纳米晶的形成及其特征

用直流碳弧法制备出碳包Ｎｉ金属纳米晶，在石墨阳极复合棒中掺入不同组份的Ｎｉ，研究其对碳包Ｎｉ纳米，富勒烯等碳微团特性的影响。     

硅—铝网栅亚毫米波F—P干涉仪及其在激光频谱研究中的应用

在单晶硅薄片上用光刻方法制作了铝金属网栅,并用在亚毫米波F-P干涉仪上。适宜用作亚毫米波波长的测量和频谱特性的研究。     

碳包Ni纳米晶的形成及其特性

用直流碳弧法制备出碳包Ni金属纳米晶.在石墨阳极复合棒中掺入不同组份的Ni，研究其对碳包Ni纳米晶，富勒烯等碳微团特性的影响结果表明：碳包Ni纳米晶含Ni和石墨，不含碳化物和氧化物；纳米品数量随Ni增加而增加．而纳米晶的粒径出现极值；Ni催化碳微团石墨化并使C60／70产率下降；碳包Ni金属纳米晶单位质量的饱和磁化强度随Ni的增加而增加     

激光诱导扩散研制短波响应灵敏的硅光电探测器

普通的硅光电管,对红光和近红外光的响应度和稳定性方面显示了极大的优越性。但是它对于紫光和近紫外光的响应却很微弱。分析其原因可归结为:首先,硅的吸收系数大(4000(?)时约10~5cm~(-1)),短波光大部分在硅表面而不是在PN结区被吸收;其次,PN结深度太大(一般约2000(?)以上);此外,表面复合和扩散杂质表面浓度大,使扩散层缺陷多造成光生载流子复合损失大;最后,硅的表面反射系数大(4000(?)时约50%)。为了使得硅光电探测器在绿、兰、紫和近紫外区有较好的响应度,则要求这种结型光电器件的结做得非常浅,扩散杂质的表面浓度尽量低,使所谓“死区”尽可能薄。而常规的扩散工艺是难以实现的。本文报导采用激光诱导扩散的新技术研制短     

氦气压力对碳纳米管形成的影响

用热重分析和差热分析研究地流碳弧法中氦气压力对阴极沉积物－含纳米管碳灰中碳纳米管形成的影响，并与Ｃ６０／７０和石墨的ＤＴＡ曲线比较，结果表明：在研究范围内，氦压越高，碳纳米管与碳纳米粒子的比率越高。可用控制氦气压力调整碳纳米管与碳纳米粒子的比例。