一种用于5 V电源ESD防护的新型高维持电压MLSCR

针对5 V电源的静电放电(ESD)防护,提出一种利用PMOS管分流的新型优化横向可控硅(PMOS-MLSCR)。相比于传统MLSCR,PMOS-MLSCR具有更高的维持电压和相对较低的触发电压,有效避免了传统MLSCR面临的闩锁风险。基于0.18 μm BCD工艺,采用TCAD仿真模拟PMOS-MLSCR和传统MLSCR,并通过模拟TLP测试器件特性。仿真结果表明,PMOS-MLSCR的维持电压相对于传统MLSCR提升了3.64 V,触发电压降低了1.49 V,并且满足5 V电源ESD防护的设计窗口。     

用于3.3 V电源静电防护的闩锁免疫LVTSCR

传统LVTSCR的维持电压过低,器件容易受到闩锁效应的影响而无法正常关断。为了提高传统LVTSCR的维持电压,基于0.18 μm BCD工艺,提出一种内嵌P型浅阱的新型LVTSCR (EP-LVTSCR)。采用Sentaurus TCAD,对提出的器件进行建模和测试。结果表明,该EP-LVTSCR的维持电压从传统LVTSCR的1.52 V提升到3.85 V,具有免疫闩锁效应的能力,可应用于3.3 V电源的ESD防护。     

一种用于低压防护的新型闩锁免疫双向可控硅

针对传统片上静电放电(ESD)防护器件双向可控硅(DDSCR)的低维持电压特性,设计了一种内嵌多MOS管的新型DDSCR。通过多MOS管组成的旁路通路进行分流,能够增强反偏结电场,从而提高器件抗闩锁能力。基于TCAD进行仿真,模拟TLP测试结果表明,与NLVT_DDSCR相比,新型器件的触发电压基本保持不变,维持电压从3.50 V提高到5.06 V,通过拉长关键尺寸D5,可将器件维持电压进一步提高到6.02 V,适用于电源轨为5 V的低压芯片防护。     

一种用于5 V电源ESD防护的双MOS触发SCR

低电压触发的可控硅器件LVTSCR具有低触发特性,被广泛应用于静电放电(ESD)防护领域。为了避免LVTSCR在工作时发生闩锁效应和潜在失效,基于0.18 μm BCD工艺,提出一种双MOS触发的DMTSCR。TCAD仿真结果显示,相比传统LVTSCR,DMTSCR具有更低的触发电压和更高的维持电压,显著提高了器件的闩锁免疫力,同时消除了传统LVTSCR的潜在失效风险。该器件适用于5 V电源的ESD防护。     

用于片上ESD防护的新型高维持电压可控硅

为解决闩锁效应,设计了一种新颖的异质结双极晶体管触发可控硅(NHTSCR)。利用异质结晶体管串联反向异质结晶体管来分流SCR的方法,抑制电导调制效应,提高了维持电压。分析了提高NHTSCR维持电压的可行性,详述工作原理,并给出实现步骤。基于Sentaurus TCAD的仿真结果表明,该NHTSCR的维持电压从传统器件的1.34 V提高到3.72 V,在3.3 V工作电压、0.35 μm SiGe BiCMOS工艺下,有效避免了闩锁效应。     

一种内嵌NMOS的抗闩锁双向MHVDDSCR

针对双向可控硅(DDSCR)易发生闩锁效应的问题,提出了一种多路高维持电压DDSCR(MHVDDSCR)。在器件的两边嵌入NMOS管,构成电流通路,抽取阱内的空穴与电子,促使反偏PN结内电场增强,提高了维持电压。采用Sentaurus TCAD进行了仿真验证。结果表明,相比于传统LT_DDSCR,MHVDDSCR的触发电压降低了0.61 V,维持电压从2.10 V提高到7.13 V。该器件适用于狭窄ESD设计窗口的模拟IC的双向静电防护。