注砷硅单晶的电子束退火

本文报道使用DT—1型电子束退火机对注砷单晶硅进行扫描电子束退火的实验研究。试验了电子束退火各种条件对结果的影响,以便选择较适宜的退火条件。用背散射法和微分电导法分别测得了未退火和经退火样品的杂质浓度分布和载流子浓度分布,显示出电子束退火的杂质再分布状况,并计算出注入砷的电激活率。此外,还进行了范德堡法霍耳效应测量,得到注入层的平均载流子浓度、平均迁移率和薄层载流子浓度。电子束退火样品与热退火样品作了比较。