MOCVD生长薄膜材料制作半导体可饱和吸收镜

介绍了当前国际上流行的用半导体可饱和吸收镜来对固体激光器、光纤激光器和半导体激光器进行被动锁模的方法，阐述了半导体可饱和吸收镜用来作为被动锁模吸收体的原理，并介绍了如何利用金属有机气相淀积(MOCVD)技术生长各种波长激光器所需要的半导体可饱和吸收镜。     

MOCVD生长薄膜材料制作半导体可饱和吸收镜

介绍了当前国际上流行的用半导体可饱和吸收镜来对固体激光器、光纤激光器和半导体激光器进行被动锁模的方法,阐述了半导体可饱和吸收镜用来作为被动锁模吸收体的原理,并介绍了如何利用金属有机气相淀积(MOCVD)技术生长各种波长激光器所需要的半导体可饱和吸收镜.     

基于Fluent的有杆泵固定阀流量系数模拟计算

有杆抽油泵固定阀的流量系数是评价阀流通性能的重要指标,也是计算阀流量的必需参数。目前还没有专门针对固定阀流量系数的实验与计算公式,利用Fluent软件对流体过阀过程进行了模拟,分析原油通过固定阀时内部流场的分布状况,以及流体参数(密度、黏度、速度)与阀球开启程度对整个过程的影响,得到不同开启程度下固定阀的流量系数曲线,为有杆泵流体进泵流量计算提供依据。     

新型材料InGaNAs的生长与应用前景

详细介绍了一种新型半导体材料(InGaNAs)的生长特点及其在制作高特征温度的长波长量子阱激光器、长波长垂直腔面发射激光器、长波长光泵垂直外腔面发射激光器、半导体可饱和吸收镜和长波长谐振腔增强探测器方面的优势。     

高密度排列大功率垂直腔面发射激光器列阵

报道了980nm高密度排列大功率垂直腔面发射激光器列阵的研制.列阵单元为蜂窝状密堆积排列,单元台面直径为70μm,氧化孔径为30μm,相邻单元间隔为100μm.制作了含7,19,37个单元的列阵,讨论了它们的阈值电流和远场特性.在室温连续工作条件下,3种列阵的最大输出功率分别为0.26,0.5和0.6W.其中含37个单元的列阵在6A脉冲电流(脉宽30μs,重复频率100Hz)激发下,输出功率达到1.4W.     

采用二甲基肼为氮源进行GaNAs的金属有机化学气相沉积生长

采用MOCVD方法,利用二甲基肼为氮源,进行了GaNAs材料的生长.利用高分辨X射线衍射与二次离子质谱测试方法确定了材料中氮的组分.采用室温光致发光谱测量了样品的光学性质.讨论了不同的镓源对GaNAs材料质量和其中的杂质含量的影响,结果证明三乙基镓在GaNAs的低温生长中比三甲基镓具有更大的优势.采用三乙基镓生长的GaNAs中氮的含量达到5.688%.光致发光谱的峰值波长为1278.5nm.     

OPS-VECSEL芯片的生长与光谱研究

光泵浦半导体垂直外腔面发射激光器(OPS-VECSEL)是一种新型激光器,在很多领域都具有广阔的应用前景.采用MOCVD生长了工作波长为980 nm的VECSEL芯片,测量了芯片X射线衍射(XRD)图谱,光致发光(PL)谱和反射谱,结果表明,芯片生长的准确性较高.同时采用物理光学的理论结合实际模型,运用矩阵分析方法计算了VECSEL的反射谱,计算结果与实验结果吻合良好.最后,通过对不同窗口层厚度的纵向增强因子的计算和分析得到了共振结构具有高的峰值增强,反共振结构具有大的增益带宽.在理论上提出,对于该OPS-VECSEL结构,采用共振和反共振结构之间的窗口厚度可以使其稳定工作在特定波长而又不严格限制增益带宽.     

采用二甲基肼为氮源进行GaNAs的金属有机化学气相沉积生长

采用MOCVD方法，利用二甲基肼为氮源，进行了GaNAs材料的生长。利用高分辨X射线衍射与二次离子质谱测试方法确定了材料中氮的组分。采用室温光致发光谱测量了样品的光学性质。讨论了不同的镓源对GaNAs材料质量和其中的杂质含量的影响，结果证明三乙基镓在GaNAs在低温生长中比三甲基镓具有更大的优势。采用三乙基镓生长的GaNAs中氮的含量达到5．688％。光致发光谱的峰值波长为1278．5nm。     

大功率670nm半导体激光器的研制

采用低压金属有机化学气相沉积生长了670nm激光器外延片,有源区采用单量子阱结构,阱区、垒区分别为InGaAsP和AlGaInP.利用该外延片制作了带无电流注入区的氧化物条形激光器.激光器腔长为900μm,电流注入区条宽为100μm,两端的无注入区宽度均为25μm.镀膜后器件的阈值电流为0.4A,输出波长670士2nm,最大输出功率为1100mW,水平、垂直发散角分别为8°,40°.表明该种结构可以提高器件的腔面光灾变功率.     

采用二甲基肼为氮源进行GaNAs的金属有机化学气相沉积生长

采用MOCVD方法,利用二甲基肼为氮源,进行了GaNAs材料的生长.利用高分辨X射线衍射与二次离子质谱测试方法确定了材料中氮的组分.采用室温光致发光谱测量了样品的光学性质.讨论了不同的镓源对GaNAs材料质量和其中的杂质含量的影响,结果证明三乙基镓在GaNAs的低温生长中比三甲基镓具有更大的优势.采用三乙基镓生长的GaNAs中氮的含量达到5.688%.光致发光谱的峰值波长为1278.5nm.