微波集成电路技术—回顾与展望

半个多世纪来 ,微波电路技术经历了从分立电路、两维微波集成电路、三维微波集成电路等阶段。在回顾这一发展历程后 ,介绍多层微波集成电路和三维微波集成电路。阐述其产生背景、关键技术及发展方向。文中将涉及微加工技术以及从直流至射频的多芯片全集成新概念。瞻望二十一世纪前景。     

C波段低噪声场效应晶体管放大器

本文介绍C波段低噪声场效应晶体管放大器的初步研制结果。采用国产CX-50型砷化镓场效应晶体管。通过对晶体管S参数和噪声参数的测试进行电路设计。制成两级级联放大器作为接收机低噪声前端,实现了5公分频段的指标是:(包括前置限幅器、隔离器和后置接收机噪声在内的)系统噪声系数4.0分贝,放大器增益14分贝。文中并简介放大器承受射频脉冲功率的实验情况,以及与雷达使用有关的若干指标的初步测试结果。     

微波环行器设计

本书给出有关环行器设计和保护高功率微波源使之免为反射功率损坏方面的知识。是一本讨论作为微波系统中一个关键器件一环行器的专著。书中对环行器与隔离器下了明确的定义。并对环行器的理论及设计方法作了清晰的阐明。书中包含了有关环行器设计方面的各个环节;如基本理论,环行器指标,铁氧体材料选择和阻抗匹配网络综合。作者从性能优化的角度讨论铁氧体材料的选择,从五种常用的带线技术中精选出三种最适于环行设计和封装的形式。本书将有助于确定最简单的制造方法和性能价格比为最有效的设计方法。     

介绍一种计算机控制的微波调谐器(CCMT)

目前微波工程师们对于微波与毫米波计算机辅助工程(CAE)的概念已不会再感到陌生。借助CAE的硬件与软件,设计师们可以分析、优化、设计并绘制出各种具有高性能与高成品率的微波、毫米波线性或非线性电路。直至分系统或系统。CAE的输出不再限于模拟结果,而将是适于工程应用的图纸、掩膜版、全套程序、乃至技术报告等。这里介绍一种可在CAE中起重要作用的计算机控制微波调谐器(CCMT)。     

噪声系数测试中的误差分析

本文分析在测试低噪声场效应晶体管放大器的噪声系数中,由于噪声源和被测件失配所造成的误差。     

新书介绍

Introduction to Computer Methods for Microwave Circuit Analysis and Design(微波电路分析与设计的计算机方法引论) 作者:Janusz A.Dobrouolski(华沙工学院) 出版:Artech House,1991年     

1984年国际微波会议一瞥

1984年度的“国际微波理论与技术会议”和“微波与毫米波单片电路会议”于5月29日至6月1日在美国旧金山市同时举行。其间正值IEEE成立100周年纪念,所以盛况空前。正式与会者估计逾千人,其中有我国电子学界的代表九名。 在上述两会上交流的共有167篇论文。除35篇在两场公开讨论会(open Forum)上对口交流外,其余的均在三个并行的分组会上宣读。会议期间还举行了三场大型专题讨论会和七个即席发言的工作讨论会。此外,还分别举行了对本学科有贡献人士的发奖仪式、由200多家公司参加展出的微波工业展览会以及IEEE 100周年展览和MTT历史展览等。     

微波接收机低噪声前端

引言对固态微波接收机前端的研究是始于二次世界大战期间,在雷达上使用点触式二极管混频器。回顾前端的发展史,各种低噪声器件的进展并不平衡,却相互促进。如1948年点触式锗双极晶体管的问世,曾被标志为“固态化革命”的起点,但它进入微波领域步伐缓慢。约十七年后才研制出实际可用的L波段低噪声晶体管放大器。而1958年研制出变容二极管,不过一、二年內参量放大器就应用于雷达、射天天文等方面,目前对     

三端口S参数用于晶体管电路设计

微波领域中广泛应用的场效应晶体管(FET)、双极型晶体管(BPT)以及近年来正在开发的性能优越的高电子迁移率晶体管(HEMT)均系三端器件。早在1968年文献[1]己指出宜用三端口S参数来表征晶体管特性并进行电路设计。但是由于具体分析计算的复杂性,直至今日一般仍沿用一端接地的两端口S参数来分析这种三端口电路。这样在分析并联反馈或串联反馈的晶体管电路(例如反馈放大器或振荡器等)时必须通过S参数与Y参数或Z参数之间的转换关系