低温下硅的光伏效应(英文)

<正> We diffused gold into Si wafers of good quality (Ln≥324μm) and obtained 6 samples with NAa = 7.94×1012 -6.96×1015cm-3. The minority carrier lifetime of each sample was measured with the photovoltage method and compareed with the calculated value, showing that maximum deviation is 4 times between them.     

X衍射法分析CVD制备SnO2多晶膜的构成及其对气敏特性…

通过Ｘ光衍射图分析，确认了较低温度下ＣＶＤ法生长的非掺杂ＳｎＯ２晶膜含有较多的偏离ＳｎＯ２配位的晶体成分，从而定性地解释了该晶膜具有较高的气体敏感度的现象。     

p型Si单晶表面态真空效应的光伏测定

本文报导了采用变温光伏方法对不同真空度下的p型硅单晶的表面态参数进行非破坏性的测算。发现在不同真空度下,其表面能级E_S(或表面势垒高度ψ_BP)和单位能量间隔的表面态密度D_S等参数以及常温温区下的光伏值可有明显的差异。     

硅中金受主能级特性的低温动态光伏研究

本文采用统计方法,对40K下金过补偿的P型硅单晶的动态光伏问题进行处理.计算结果与实验符合很好,从而探讨了硅中金受主能级在光离化、载流子复合过程中的行为,进而估算了金受主能级在hv=0.63eV光照下的光离化截面σ_i=6×10~(18)cm~2,及其对自由空穴的俘获截面σ_p=4×10~(15)cm~2.     

掺金N型硅中静态电荷转移机制的统计研究

应用统计方法,研究了掺金Ｎ型硅中各杂质能级上的电荷密度及载流子浓度随温度的变化,探讨了系统的静态电荷转移机制,所得结果支持了硅中金受主能级与施主能级本属同一金杂质的两个能级的认识。     

lnP单晶特性的低温光伏研究

本文应用等光强方法,在0.75μm至带边的波段内对无掺杂的n型InP单晶(n_0=2×10~(16)cm~(-3))分别测量了298K、77.4K、50K、20K、13.7K下的光伏谱。在微机上完成拟合计算,确定了各有关参数在上述各温度下的各自不同数值,得出它们各自随温度变化的大体规律。进而提出了双施主-深陷阱模型,计算了双施主的能级位置和密度,说明了n_0～T的依从关系,并应用此模型,半定量地讨论了材料的寿命行为,从而探讨了复合机理。对S_p～T关系也作了定性讨论。     

光伏法研究硅单晶表面态真空敏感机理

根据光伏方法研究的半导体表面气体分子吸附机理,提出了硅单晶表面态真空敏感效应的机理模型,解释了表面态敏感型的真空传感器的各有关观测结果.因此可以确认,硅单晶表面态对真空敏感的实质原因就是由于构成大气主要成份的氮气和氧气两种元素的电子亲和势相对于硅元素,具有明显不同的且符号相反的差值,导致吸附于硅表面的N2、O2分子与硅表面态之间不同转移方向的电荷转移差值可以随真空度变化所引起的.     

光伏法研究硅单晶表面态真空敏感机理

根据光伏方法研究的半导体表面气体分子吸附机理,提出了硅单晶表面态真空敏感效应的机理模型,解释了表面态敏感型的真空传感器的各有关观测结果.因此可以确认,硅单晶表面态对真空敏感的实质原因就是由于构成大气主要成份的氮气和氧气两种元素的电子亲和势相对于硅元素,具有明显不同的且符号相反的差值,导致吸附于硅表面的N2、O2分子与硅表面态之间不同转移方向的电荷转移差值可以随真空度变化所引起的.