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<正> 每一代新的半导体芯片都具有更精细的结构。因此,生产线通常也就需要更新的光刻设备。为组建经济实用的生产线,就必须考虑几个因素,其中很多因素在一定程度上很容易从可选设备的指标中看到,但另一些因素却比较复杂,仅从技术指标中不易得到。 本文论述最为复杂的光刻要求,即层间套刻精度O/L。O/L是很复杂的,它不仅受设备特性的影响,还受掩模精度、对准标记质量、甚至受由工艺引起电子形变的影响。由于这种多重的依赖性,尽管O/L经常出现设备手册中,但却不能只定义为设备的特性指标。 相似文献
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把掺杂层对HgCdTe光导探测器表面的影响视为掺杂层电活性载流子与基底材料电活性载流子之比的函数关系,作了理论研究。结论是:在较薄层正面和背面作适当掺杂,可能提高光导探测器的响应率。 相似文献
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1990年6月在英国伦敦举行的一次红外探测器及系统会议上,英国皇家信息与雷达研究所的C.T.Elliott就今后红外探测器工艺作了评论说,近期内,固体热探测器阵列将占领并扩大已由热电型光导摄象管打开的非制冷短距离成象系统的市场。硅化物阵列是目前唯一能与硅VLSI相容的探测器,可能在3~5μm波段内要求高空间分辨率时扩大应 相似文献
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本文讨论光学薄膜的激光损伤类型及原因,探讨底板表面光洁度的影响,就减反膜和反射膜的激光损伤加以研究,提出几种提高抗激光能力的方法。 相似文献
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黄印权 《电子工业专用设备》1985,(1)
<正> EBMF6.5型电子束曝光机是英国剑桥仪器公司1982年底的最新产品,是 EBMF6型机的改进型,笔者曾对该机作过考察。该机主要用于制作掩模版,也可直接在硅片上作图,是圆形束斑的矢量扫描机。该机的主要技术性能为: 相似文献
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