排序方式: 共有47条查询结果,搜索用时 281 毫秒
1.
介绍有源声表面波滤波组件的设计思路。报道最新研制的高性能滤波组件,其中心频率40MHz,3dB相对带宽0.8%,阻带抑制优于100dB,矩形系数(Δf100dB/Δf3dB)小于3,输入输出端口电压驻波比接近1。组件体积85mm×35mm×24mm,重量小于115g 相似文献
2.
LiNbO_3基片用于彩电SAW中频滤波器的可行性 总被引:1,自引:1,他引:0
本文从SAW器件对基片的要求,LiNbO_3和LiTaO_3基片及其滤波器性能,实际电路应用比较,论证了LiNbO_3单晶基片的国产彩电中频滤波器代替进口的LITaO_3基片滤波器的可行性和必然性.给出了一个参考接口电路.LiNbO_3基片滤波器有插损小,易与外电路配合,对电路元件的要求较宽等优点,其温度特性对彩电接收机也是可以接受的. 相似文献
3.
4.
本文通过实验研究了导纳电桥测试声电器件导纳的可用性以及用导纳测量法研究声电器件的可能性,即通过器件开路、短路导纳的测量来测定器件本身的固有特性(特性参数)和工作特性(工作参数)的可能性.测试了滤波器的输入导纳及其随频率的变化,用图、表给出了用导纳间接测量和直接实际测量的数据比较,并对测量作了一些误差分析. 相似文献
5.
本文表明多条耦合器(MSC)应用在带通滤波器中能降低旁瓣、改善矩形系数.同时还论述了道尔夫一切比雪夫(DolPh-Chebyshev)函数作为窗口在带通滤波器设计中的应用.制作了用MSC耦合两个道尔夫-切比雪夫窗口加权变迹换能器组成的带通滤波器.对影响器件性能的几种二次效应及其抑制方法进行了初步讨论.用本文所述方法所获得的器件在不调谐时的性能为:f_0=30.1兆赫、△f/f_0=8%、插损ILmin=17分贝、3—40分贝矩形系数kD=1.48、通常波纹△b=0.4分贝(相邻峰)、旁瓣抑制≥48分贝.若要更进一步提高性能使其与按理想横向滤波器模型设计的性能一致,则要在设计和制作过程中对二次效应进行更精确的补偿和抑制. 相似文献
6.
7.
公共通信系统及声表面波滤波器 总被引:1,自引:1,他引:0
概述了无绳电话,峰窝通信及个人通信的系统特点,介绍了国外已有的公共通信系统的频率配置,信通带宽及相应的典型中频。着重介绍了适应这些系统的声表面波滤波器的基本要求和特点,以及相应的射频极和中频级表面波滤波器的设计技术与器件性能。 相似文献
8.
声表面波单相单向换能器的电路匹配 总被引:1,自引:1,他引:0
在理论上初步探讨了匹配任意声表面波SPUDT的方法,同时,提供了电极宽度控制型单相单向换能器(EWC/SPUDT)声表面波滤波器的实验数据来说明该方法。 相似文献
9.
本文介绍一种声表面波电视频道滤波器.叙述了它的设计,给出了我们研制的1—12频道SAW滤波器的性能.同时还着重列举了它在CATV系统中的几种应用. 相似文献
10.