薄膜电阻应变传感器中的绝缘隔离

木文介绍了薄膜电阻应变传感器中作为绝缘隔离层的双层介质膜的制备方法及其绝缘特性．     

康铜薄膜电阻应变传感器的制作

在应变元件与应变膜之间允许直接形成一体的场合下,把应变电阻元件沉积在接受应变的弹性元件上,将使应变传递性能大大改善,这是不言而喻的.但需解决应变电阻膜与接受应变的金属弹性片间的绝缘层问题.本文介绍作者研制的康铜薄膜电阻应变传感器的制造工艺和测试结果,证实了采用双层介质膜是解决绝缘隔离这一技术难点的良好途径.     

采用补硫技术的ZnS∶Mn蒸发膜的成份与结构的研究

本文介绍了电阻蒸发ZnS∶Mn薄膜在硫饱和蒸汽压下进行热处理的工艺。通过AES和XRD分析及带隙宽度的测试,结果表明:此法所制备的薄膜有较好的化学计量比,且具有电致发光薄膜所需要的六方结构。     

Y2O3:Eu电致发光膜的制备与结构表征

采用电子束蒸发和射频磁控溅射技术沉积了Y2 O3 :Eu电致发光薄膜 ,对膜进行了不同温度的大气热处理。用原子力显微镜 (AFM)观察了Y2 O3 :Eu膜的表面形貌 ,用X射线 (XRD)分析了Y2 O3 :Eu膜的结构 ,并对两种Y2 O3 :Eu膜的微结构和表面形貌进行了比较。结果表明 ,射频磁控溅射Y2 O3 :Eu膜与电子束蒸发Y2 O3 :Eu膜相比 ,结构更致密 ,表面更平滑 ,而且 ,在 90 0°C高温热处理后 ,溅射膜呈现单斜晶系结构 ,具有该结构的Y2 O3 :Eu膜适宜于作电致发光膜。     

热处理对MIM薄膜二极管Ta2O5绝缘膜微结构及其I-U特性的影响

制备了一种用于有源矩阵液晶显示、具有对称结构的MIM薄膜二极管 ,其中Ta2 O5膜采用溅射 /阳极氧化两步法工艺制成。对绝缘膜进行真空热处理 (一步热处理 )和经真空热处理后再进行大气热处理 (真空 /大气两步热处理 )。用原子力显微镜和透射电子显微镜分析了Ta2 O5膜的微结构 ,测试了MIM薄膜二极管的I U特性曲线。讨论了热处理对Ta2 O5绝缘膜微结构和MIM薄膜二极管I U特性的影响 ,并指出了MIM薄膜二极管I U特性和绝缘膜微结构之间的关系     

无电晕式高温高压静电除尘器阴极电发射特性的试验研究

在不同的温度、压力、电压条件下,对所开发的阴极材料进行了电发射特性的试验研究。研究结果表明：温度、压力、电压对发射电流均有不同程度的影响。在高温（〉８００℃）条件下,由阴极材料热发射所获得的电流密度比采用常规电晕方式所得到的电流密度至少高２个数量级。发射极具有良好的稳定性,可在高温高压条件下长期使用。图４参２     

GX-1型超高真空BA规的特性研究

BA规已成为超高真空测量领域中最实用的量具。但是,由于其测量下限的限制,尚不能满足极高真空测量的需要。本文提出的GX-1型超高真空BA规,既保持了原有BA规的优点,又有效地将其测量下限拓宽了一个数量级以上。     

复合阴极材料电子发射特性的基础研究

在不同的温度、压力、电压条件下,对所开发的阴极材料进行了电发射特性的试验研究。研究结果表明,温度、压力、电压对发射电流均有不同程度的影响。在高温(>800 ℃)条件下,由阴极材料热发射所获得的电流密度比采用常规电晕方式所得到的电流密度至少高两个数量级。发射级具有良好的稳定性,可在高温高压条件下长期使用。     

Ga_2O_3∶Mn电致发光薄膜的微结构及光谱特性研究

采用电子束蒸发法在硅衬底或 Ba Ti O3陶瓷基片上沉积了 Ga2 O3∶Mn电致发光膜 ,并进行了不同温度热处理 ,制备了电致发光器件。用 X射线衍射 ( XRD)分析了 Ga2 O3∶ Mn薄膜晶体结构 ;用荧光分光光度计测试了电致发光器件的发射光谱。研究了 Ga2 O3∶ Mn薄膜的晶体结构与其光谱特性之间的关系。实验结果表明 ,Ga2 O3∶ Mn薄膜结晶度随热处理温度的提高而提高 ,且晶体结构和结晶取向也随之改变 ;经 5 0 0℃热处理的 Ga2 O3∶ Mn薄膜电致发光器件发绿光 ,其光谱主峰分布在 495～ 5 3 5 nm之间 ,且随驱动电压增高 ,谱峰出现蓝移现象     

电子束蒸发氧化钨薄膜电致变色性能的研究

报道了电子束蒸发制备的氧化钨薄膜的电臻变色特性和开关寿命，给出了电极电压和电解浓浓度对氧化钨薄膜电致变色性能的影响。